电子束产生大尺度等离子体过程的数值模拟研究

建立了一个四组分一维混合模型，对电子束注入大气产生大尺度等离子体的过程进行了数值模拟.结果表明了能量为140keV、流强为50mA/cm²的注入电子束，可以产生线度为0.5m，密度为10¹²cm^-3量级的大气环境下等离子体.电子束所伴随的空间电荷效应由于等离子体的产生会很快消失，不影响后续的等离子体产生过程.电子束注入流强主要影响产生等离子体的密度，而电子束能量则同时影响其空间线度和密度. 关键词： 电子束 碰撞 电离     

Theoretical Studies on the Si（001）-SiO2 Interface Structure

1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…     

歧管式微通道流动特性的研究

岐管式微通道(MMC)热沉具有热阻小、结构紧凑、冷却液流量小、流速低、沿流动方向温度分布均匀等优点.本文针对以去离子水为介质的岐管式微通道(宽W=100 μm,深H=300 μm)的流动特性进行了实验研究,实验的雷诺数范围为5O～3500.结果表明工质在微通道内流态由层流向紊流转变的临界雷诺数提前,此外数值模拟结果与实验值也吻合较好.最后在实验基础上,拟合出工质在层流和紊流下的流动阻力经验关联式.     

粒子鉴别中dE/dx和TOF的权重

在北京谱仪数据分析中,粒子鉴别使用了dE/dx和TOF的信息.在利用dE/dx和TOF联合鉴别粒子时,通常的做法是把两者的χ²值等权重相加(χ²方法).在不同的动量区间,dE/dx和TOF对粒子的鉴别能力不同.本文给出两者联合鉴别时不同动量区间的权重,并构造一个新的线性变量来进行粒子鉴别     

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

一类Marangoni对流边界层方程的近似解析解

利用Adomain解析拆分和Padé逼近方法对由Marangoni对流诱发的层流边界层问题进行了研究, 提供了一种求解边界层方程的解析分析方法. 得到了问题的近似解析解并对相应的流动及传热特性进行了探讨. 本文所提出的思想方法可以用于解决其他科学和工程技术问题. 关键词： Marangoni对流 非线性 Adomain拆分法 近似解析解     

Effect of carbon content on the microstructure and the cracking susceptibility of Fe-based laser-clad layer

The laser cladding of Fe-based alloys on a medium carbon steel substrate was performed using a CO₂ laser and Ar shielding gas that was blown into a molten pool. The microstructure and cracking susceptibility of the laser-clad layers were studied in terms of carbon additions. Results show that the small change of the carbon content in the alloy powders can obviously change the microstructure and properties of the layers. When the carbon content is in the range of 0.3–0.4 wt.%, the decrease of the carbon content in alloy powders will increase the hardness and toughness of the layers simultaneously under the same process parameters. As a result, crack-free coatings with high hardness can be obtained. As the carbon content increases from 0.2 wt.% to 0.4 wt.%, the segregation ratio of chromium increases, while the segregation ratios of nickel, manganese, and silicon first decrease and then increase. At the same time, a new designing principle concerning the composition and microstructure has been put forward, and the principal mechanisms of strengthening and toughening of the layers are fine-grain strengthening and low carbon martensitic phase transformation strengthening.     

Study on Inhibitors of Methionine Synthase Ⅷ: Synthesis of 2,5-Diamino-4-oxo-6- (3-butenyl) pyrimidine

Cobalamin-dependent methionine synthase plays a crucial role in folate metabolism and such would appear to be an excellent target for rational antifolate drug design. However, to date, no anticancer agents directed at this enzyme are available, but the enzyme is efficiently and specifically inhibited by N2O and this has proven invaluable for evaluating the biochemical consequence of enzyme inhibition and for mechanistic studies. [1,2] 2,5-Diamino-4-oxo-6-(3-butenyl) pyrimidine, a key intermediate in synthetic inhibitors of methionine synthase, was first synthesized using γbutenyl-β-ketoester and guanidine carbonate (Scheme 1). [3]     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

特高含水期油气水混输管道压降计算方法研究

在油田开发后期,产出液的含水率已超过80％,集输管道内介质的流动属于特高含水油气水混合流动。准确的油气水混输管道压降计算,对油田集输系统运行管理有着重要的意义。利用井口到计量间的现有设施,对特高含水期油气水管道的液量、气量、含水率、温度及压降进行了测试。介绍了Baker冲击流压降计算模型,用实测数据对Baker模型进行了修正。计算与测试数据对比分析结果表明,所给的修正压降模型适合特高含水采油期油气水三相冲击流水平管道压降计算。