常压高频放电等离子体炬改进制备CO2/CH4重整用Ni/MgO催化剂

比较了常规法、等离子体炬法和等离子体炬辅助焙烧法制得的Ni/MgO催化剂上CO2/CH4重整反应性能差异,并利用X射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱和CO2程序升温表面反应等技术对反应前后催化剂进行了表征,结果表明,采用等离子体炬辅助焙烧法制备的催化剂上Ni晶粒粒径小,分散度较高,低温活性和抗积炭性能较高;在常压,7...     

光辐照驱动CH4-CO2重整中Ni/MgO-Al2O3催化活性吸收体的活性

将等离子体还原法和常规焙烧还原法制备的Ni基催化剂用于制备太阳能催化活性吸收体,在氙灯模拟的太阳光聚光反应系统中,考察了其催化CH4-CO2重整反应活性.结果表明,等离子体还原法制备的Ni/MgO-A12O3催化活性吸收体的低温活性最高,在光辐照平均能流密度为61 kW/m2,空速36 dm3/(g·h),CH4和CO...     

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以统计热力学和化学平衡理论为基础,引用原子、分子的光谱数据,计算了在温度300～20000K范围内,双原子分子体系的热平衡等离子体的热力学函数(H、Cp,m)。给出了氮等离子体体系的分子离解度、电离度和摩尔定压热容随温度变化的关系曲线。所得结果在较低温度范围与经验公式表达的结果良好相符。对较高温度区间的结果作了分析和讨论,并利用最小二乘法给出了氮体系的摩尔热容量的拟合公式。为热等离子体的应用提供了可以参考的数据。     

热等离子体射流温度与放电功率和气体流量的定标关系

利用氮系统的高温热力学函数C_p,m,结合热量计算公式及能量平衡关系,在理论上得到热平衡等离子体射流温度与放电功率和气体流量的定标关系。结果表明,该过程满足相似性原理,射流温度不是功率和流量的一般二元函数,而是比值P_eff/f 的一元函数。并对结果进行了相关的分析和讨论,为热等离子体的应用提供了参考数据。     

等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究

区别于改良西门子法、硅烷法、碳热还原法、区域熔炼法等多晶硅生产工艺,利用等离子体技术,建立了以硅的氯化物为原料,一步法制备多晶硅的实验装置和工艺流程,并在此基础上进行了粒状多晶硅制备的实验.实验表明,SiCl4单程转化率超过70;,多晶硅选择性60;.利用XRD、SEM、AS等分析手段,对所得产物进行了表征.与纯度为7个9的多晶硅标样的比较表明,实验产物达到了太阳能级.此方法为多晶硅生产极大地放宽了原料选择条件,为低成本生产太阳能级多晶硅提供了一种新的途径.     

西门子CVD还原炉内硅棒生长环境的数值模拟

考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、热量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对18对棒西门子多晶硅CVD还原炉实际情况进行数值模拟.考察了两种进气方式下还原炉内的流场和温度场分布.计算结果表明,为了实现硅棒均匀沉积,与底盘上分散进气、中心集中出气的还原炉结构相比,中心集中进气、中环与外环之间分散出气的流场及温度场分布更为合理.后者可能有效避免气体在进出口间的“短路”现象,又使炉内各处温度分布更为均匀,减小硅棒不均匀生长现象.模拟结果还表明,采用典型工况的数据,还原炉中总能量损失占能量输入的78.9;,辐射热损失占总能量损失的70.9;,产品单位质量能耗为72.8 kWh/·kg-1,与很多其他研究结果及实际相一致.