Coexistence of unipolar and bipolar modes in Ag/ZnO/Pt resistive switching memory with oxygen-vacancy and metal-Ag filaments

In this study, the unipolar resistive switching(URS) and bipolar resistive switching(BRS) are demonstrated to be coexistent in the Ag/Zn O/Pt memory device, and both modes are observed to strongly depend on the polarity of forming voltage. The mechanisms of the URS and BRS behaviors could be attributed to the electric-field-induced migration of oxygen vacancies(VO) and metal-Ag conducting filaments(CFs) respectively, which are confirmed by investigating the temperature dependences of low resistance states in both modes. Furthermore, we compare the resistive switching(RS)characteristics(e.g., forming and switching voltages, reset current and resistance states) between these two modes based on VO- and Ag-CFs. The BRS mode shows better switching uniformity and lower power than the URS mode. Both of these modes exhibit good RS performances, including good retention, reliable cycling and high-speed switching. The result indicates that the coexistence of URS and BRS behaviors in a single device has great potential applications in future nonvolatile multi-level memory.     

基于等离子体电荷转移调控的抗干扰全息存储研究

贵金属纳米粒子由于对激发光的偏振类型和波长的有效响应,成为了全息存储介质的优选材料,但目前还未找到有效的方法抑制紫外光对等离子体存储信息的擦除影响,进而其在抗干扰全息存储器件的应用上受到了很大限制.本文从等离子体诱导电荷分离基本原理出发,利用受主中心俘获载流子转移的方法,在传统Ag/TiO2纳米复合薄膜上,实现了存储信息从可擦除到不可擦除的调控.研究表明:多金属氧酸盐基团能有效调控贵金属/半导体系统内部的电荷转移,实现抗紫外线和射线擦除的高性能全息数据存储.     

热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响

采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.     

静电纺丝法制备NiO纳米纤维及其表征

纳米级NiO因具有优良的催化和热敏等性能而被广泛用于催化剂^[1]、电池电极^[2,3]、光电转化材料^[4～6]、电化学电容器^[7～8]等诸多方面.迄今,已成功地制备出N iO的纳米颗粒^[9]、纳米线^[10]及纳米薄膜^[11],但是对于具有准一维结构的NiO纳米纤维的制备及性能研究尚未见报道.     

银纳米粒子在云母表面的二维组装及其表面增强拉曼效应

随着纳米技术的迅速发展 ,利用共价或非共价键作用将金属纳米粒子组装到固体基片上 ,因其方法简单、重复性好而成为研究热点 .目前 ,人们已经成功地利用带有— SH[1,2 ] ,—CN,— NH2 [3 ] 等基团的单层或多层膜作为偶联剂将 Au和 Ag等金属纳米粒子固定在玻璃、石英、硅、金等固体基片上 .但在许多情况下 ,偶联剂却成为一种干扰物质 .云母是一种重要的电子工业材料 ,并具有廉价、较易获得新鲜表面等特点 ,研究金属纳米粒子在云母表面的组装和排列无疑具有重要意义 .但是 ,迄今为止 ,在表面没有偶联剂修饰的条件下 ,以云母为基底的金属纳…     

一种实时测量和表征超薄SiO2薄膜的实验方法

采用Ｐ－偏振傅里叶变换红外反射吸收光谱技术，实现了对溅射型顺旋共振微波等离子体技术制备的超薄ＳｉＯ２薄膜的实时监测和表征。实验表明：该方法是一种无损伤性、快速而准确的实时分析ＳｉＯ２薄膜质量的有效方法。     

In1-xGaxAsyP1-y/InP异质界面晶格失配对外延晶体质量的影响

用X-射线双晶衍射,双晶形貌术和光致发光方法综合研究了In1-xGaxAsyP1-y/InP异质界面晶格失配对LPE晶体质量的影响。实验表明,异质界面晶格失配是导致外延层中位错和缺陷增多,杂质凝聚和辐射复合深中心增多的重要因素。     

Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si （100） Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn

Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission.     

MR/PVA薄膜的SP和PP偏振存储特性的比较

用两正交偏振光(SP)和两P偏振光(PP)作为记录光(λ=532nm)，记录光的功率均为5mW，用He—Ne激光器632．8nm红光作为读出光，分别得到两种记录条件下甲基红掺杂聚乙烯醇薄膜(MR／PVA)样品的光栅生长曲线．发现用两P偏振光作为记录光时，光栅生长曲线分为快、慢2个过程；两正交偏振光作为记录光时，光栅生长曲线只有一个过程，前者的慢过程和后者过程的响应时间近于相同．     

LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe，ZnSeTe)／ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱，得到两个发光峰(记为Il，I2)，分析认为高能侧的峰为Zn0．9Cd0．1Te浅阱峰，而低能侧的峰为ZnSe0．2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量，当激发强度增加时，PL谱中两个发光峰的比值(I2／I1)开始时迅速增加，然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离，从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。