一种实时测量和表征超薄SiO2薄膜的实验方法

采用Ｐ－偏振傅里叶变换红外反射吸收光谱技术，实现了对溅射型顺旋共振微波等离子体技术制备的超薄ＳｉＯ２薄膜的实时监测和表征。实验表明：该方法是一种无损伤性、快速而准确的实时分析ＳｉＯ２薄膜质量的有效方法。     

热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响

采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.     

弱磁场中力矩的测定

用电子天平对均匀弱磁场中载流圆线圈所受力矩进行测量。     

用自组电位差计测干电池电动势和内阻

根据电压补偿原理，设计了自组电位差计的几种实验电路，用于测量干电池的电动势和内阻。     

氧和氩等离子辅助电子束蒸发制备高质量ZnO薄膜

采用等离子辅助电子束蒸发技术制备高纯金属锌膜，然后在氧气气氛下经高温热处理得到氧化锌的多晶薄膜。X射线衍射谱的结果表明：未经热氧化样品由金属锌和氧化锌纳米晶组成，随着热氧化温度的升高氧化锌纳米晶粒长大，形成纳米氧化锌多晶薄膜且薄膜结晶性增强；光致发光谱表明：样品均具有较强的紫外自由激子发光。由于未经热氧化样品中氧化锌纳米晶粒较小，具有较强的量子限域效应，因而经高温氧化后样品发光峰有较大红移。随着热氧化温度的进一步升高，束缚激子发射随热氧化温度升高而减弱，且发光峰位随热氧化温度升高出现蓝移；变温光致发光谱表明：紫外发光主要来自自由激子发射。     

一种测定弱磁场中力矩的方法

用电子天平对弱磁场中载流圆线圈所受力矩进行测量。