酵母蛋白质网络的动力学性质

蛋白质-蛋白质、蛋白质-DNA相互作用网络决定了细胞中各种关键功能的执行．基于芽殖酵母(budding yeast saccharomyces cerevisiae)的蛋白质-蛋白质相互作用网络数据和相关的实验文献，我们建立了调控细胞周期和生命周期(cell cycle and life cycle)的蛋白质网络，并利用离散模型研究了该网络的动力学性质，研究表明：细胞周期网络的动力学性质具有很强的稳定性，约94％的蛋白质初态将演化到对应于生物学G1基态的稳定态，使其成为惟一的全局吸引点；同时，绝大多数的初态的演化路径都通过由G1激发态到G1基态的细胞周期演化路径，使细胞周期路径成为全局性的“吸引”路径。     

教、学、用三方对力学基本概念重要性认可度的调查研究

基础力学系列课程作为工科专业的技术性基础课程,如何适应和克服国家在本科教育教学方面提出的系列改革理念所突显的不足和矛盾,已成为课程组必须思考和面临的问题.基于课程改革的需要,该文采用问卷调查方式,进行了教、学、用三方对基础力学基本概念重要性认知程度的调查研究.结果发现:本科生人群对教学要求侧重点的把握不足;教师对课程体系要求和内容的理解上存在差异;显示了四川大学基础力学教学在基础教育与专业教育之间不同需求的矛盾.     

飞行时间质谱仪数据采集系统设计

针对飞行时间质谱仪高分辨率、宽质量范围的特点,设计了一种高精度、大量程的数据采集系统。系统对前端信号进行放大、幅度甄别和电平转换,使用专用时间间隔测量芯片TDC-GPX测量脉冲时间间隔,应用现场可编程门阵列(FPGA)进行时序控制,通过通用串行总线(USB 2.0)接口与计算机连接,采用时分复用技术实现上位机对采集系统的控制及高速数据传输。测试结果表明,单通道测量精度小于100 ps,测量范围大于500μs,可进行8个通道测量。     

二硫代氨基甲酸键合硅胶对Cu2+吸附性能研究

本文以柱层层析硅胶为原料,用γ-氨丙基三甲氧基硅烷对其表面进行修饰,制得氨基键合硅胶微粒,进而在碱性条件下与二硫化碳反应,合成二硫代氨基甲酸键合硅胶(DTC-SiO2)。以Cu2+为吸附对象,考察DTC-SiO2对金属离子的吸附性能,探讨了溶液pH值、吸附剂用量、初始Cu2+浓度、吸附时间等影响材料吸附效果的因素,并研究了吸附剂对Cu2+的吸附等温线和动力学吸附特性。结果表明,在温度298K下,DTC-SiO2对Cu2+的吸附符合Langmuir等温式,准二级吸附动力学方程能够很好地描述Cu2+在DTC-SiO2上的吸附动力学行为。     

一种研究一维掺杂光子晶体缺陷模的方法

建立一维掺杂光子晶体的谐振腔模型并研究其缺陷模特性,采用相干叠加的方法推导缺陷模的透射率及频率,建立一种研究缺陷模的方法——相干叠加法.将相干叠加法与特征矩阵法和共振理论进行比较,结果表明:相干叠加法具有特征矩阵法和共振理论的优点,并克服了特征矩阵法和共振理论的不足.相干叠加法是一种研究一维掺杂光子晶体缺陷模的更为有效的方法.     

超声乳化溶剂扩散法制备阿奇霉素超细粉体

采用超声乳化溶剂扩散法制备了阿奇霉素超细粉体，讨论了溶剂、温度、阿奇霉素浓度以及稳定剂种类和用量等条件对微粉粒径及形貌的影响．实验结果表明，在实验选定的最佳实验条件下(结晶温度0～5℃，阿奇霉素浓度0．03mol／L，1％聚乙二醇(PEG)、乙醇为溶剂)，可制备出平均粒径为500nm的均匀分散阿奇霉素超细粉体。     

固-液声子晶体中纵波缺陷模的相干叠加方法

利用波的相干叠加原理推导出一维固-液掺杂声子晶体中纵波缺陷模的透射率公式和频率公式,即建立了纵波缺陷模的相干叠加方法.将纵波缺陷模的相干叠加方法与转移矩阵法和共振理论进行了比较研究,结果表明相干叠加方法和转移矩阵法计算出的缺陷模频率随杂质厚度的变化特征是一致的,相干叠加方法和共振理论推导出的缺陷模频率公式是一致的.     

与质点连接的杆横振动的频率特性

推导了一端固定、一端与质点连接的弹性杆横振动的频率特性方程,并详细讨论了几种质量比情形下的特征频率。     

氨基键合磁性硅球的制备及其对铜离子的萃取性能

采用共沉淀法制备了磁性Fe3O4颗粒,在其表面包覆一层SiO2后,利用3-氨丙基三甲氧基硅烷对其表面进行修饰,制备了氨基键合磁性硅球(NH2-Fe3O4/SiO2),并表征了材料的表面功能基团、形态、粒径分布以及磁性特质.将该磁性硅球作为磁固相萃取(MSPE)材料,与火焰原子吸收光谱法(FAAS)联用,建立了环境水样中铜离子的定量分析方法.该方法检出限为0.50ng/mL,定量限为1.66ng/mL.该方法用于长江水中铜离子的分析,加标回收率为85.6%,相对标准偏差为8.2%.     

用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度

研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响.样品在800℃退火1小时后,我们获得了空穴浓度达8.28×1017cm-3的p型GaN.这一结果可以用于GaN基器件的p型层的欧姆接触.