二已基-N,N-二乙基酰胺甲撑磷酸酯从盐酸介质中萃取钯(Ⅱ)的研究

研究了DHDECMP的二甲苯溶液从盐酸溶液中对钯(Ⅱ)的萃取。钯(Ⅱ)的分配比随水相盐酸浓度和有机相萃取剂浓度的增加而增加。当水相盐酸浓度大于0.5mol·l^-1时,萃取平衡可表示为 pd²⁺+2H⁺+4Cl^-+2DHDECMP_(o)⇔[PdCl₄^2-·2H⁺DHDECMP]_(o) DHDECMP以及萃取平衡后有机相的红外吸收谱表明,DHDECMP中的P=O基被质子化后与PdCl₄^2-缔合成离子对进入有机相而使Pd(Ⅱ)被萃取。     

轻质柔性GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池及其性能研究

为了研究柔性太阳能电池的性能,通过太阳能电池减薄工艺制备出轻质柔性Ga In P/Ga(In)As/Ge三结太阳能电池芯片。尺寸为40 mm×60 mm的电池芯片重量为0.7 g,仅为常规175μm厚度电池重量的30%。验证了柔性电池工艺的可行性,制得的柔性电池转换效率达到了30.64%,同常规厚度电池十分接近。对比测试了两种样品不同温度下的暗电流曲线,拟合了两种电池样品的温度系数,结果表明:电池的温度系数与衬底类型无关,只与电池PN结本身相关。     

含有不同添加剂的明胶膜对Am（Ⅲ）／Eu（Ⅲ）的吸附研究

研究了分别添加γ-聚谷氨酸(γ-PGA)及1,4,7,10-四杂环十二烷基四乙酸(DOTA)的两种明胶膜对Am(Ⅲ)/Eu(Ⅲ)的吸附行为。结果表明,添加γ-PGA的明胶膜,在2.0 mol/L硝酸介质中,γ-PGA∶明胶的质量比为1∶5、吸附时间在15h以上时,对Eu3 的吸附率达38.6%,而对Am3 基本不吸附;添加DOTA的明胶膜,在2.0 mol/L硝酸介质中,DOTA∶明胶的质量比为1∶5、吸附时间在15h以上时,对Am3 的吸附率达41.3%,而对Eu3 的吸附率为5.1%。     

Current-Enhanced Quantum Well Solar Cells

We present the experimental results that demonstrate the enhancement of the short-circuit current of quantum well solar cells. The spectral response shows that the introduction of quantum wells extends the absorption spectrum of solar cells. The current densities under different truncated spectrums significantly increase, showing that quantum well solar cells are suitable to be the middle cells of GalnP/GaAs/Ge triple-junction solar cells to increase their overall conversion efficiency.     

二已基-N,N-二乙基酰胺甲撑磷酸酯从盐酸介质中萃取钯(Ⅱ)的研究

研究了DHDECMP的二甲苯溶液从盐酸溶液中对钯(Ⅱ)的萃取。钯(Ⅱ)的分配比随水相盐酸浓度和有机相萃取剂浓度的增加而增加。当水相盐酸浓度大于0.5mol·l~(-1)时,萃取平衡可表示为 pd~(2 ) 2H~ 4Cl~- 2DHDECMP-(o)(?)[PdCl_4~(2-)·2H~ DHDECMP]_(o) DHDECMP以及萃取平衡后有机相的红外吸收谱表明,DHDECMP中的P=O基被质子化后与PdCl_4~(2-)缔合成离子对进入有机相而使Pd(Ⅱ)被萃取。     

水中微量锑浓集的研究

核电厂液态排放液中含有一定量的12 4 ,12 5Ｓｂ ,是核电厂排放液中常见的污染放射性核素 ,是核电厂周围环境水质中需监测的主要核素之一。12 4 ,12 5Ｓｂ监测的研究已有许多报道[1,2 ] ,但国内目前还没有建立相应的标准测量方法。由于Ｓｂ有Ｓｂ(Ⅲ )、Ｓｂ(Ⅴ )两种形式 ,且其含量极微 ,难以直接用γ 谱仪测量。为此水样中的12 4 ,12 5Ｓｂ必须先浓集 ,才可能进行准确的测量。如Ｇａｎｄｏｎｄ等[3]报道在ｐＨ =3.5时 ,ＭｎＯ2 可有效地从海水样品中吸附12 5Ｓｂ。随着我国核电事业的发展 ,建立核电站周围水质中12 4 ,12 5Ｓｂ的检测方法…     

二酰胺结构对其萃取Am(Ⅲ)和Eu(Ⅲ)性能的影响

二酰胺化合物（Ｒ１Ｒ２ＮＣＯ）２Ｒ３用于从乏燃料元件后处理高放废液（ＨＬＷ）中分离、回收锕系和镧系元素的工艺中有良好的前景［１～４］．以ＣＨ２ＯＣＨ２ｎ为桥撑链的二酰胺称为酰胺荚醚（Ａｍｉｄｏｐｏｄａｎｄ）．在大阴离子（如苦味酸根等）存在下对三价...     

从高放废液中分离锕系元素流程评述

本文对近年各国开发的从高放废液中分离锕系元素流程，进行了简单介绍和比较，指出了各流程优、缺点及存在的问题。     

用于四结电池的InGaAsN材料研究

随着InGaP2/InGaAs/Ge三结太阳电池技术日趋成熟,具有更高理论效率的基于GaAs体系的四结电池新材料AlInGaP/InGaAs/?(新材料)/Ge已经受到人们的关注,经过计算,要求新材料的禁带宽度应该为0.95eV～1.05eV.InxGa1-xAs1-xNy材料的禁带宽度可以调整为0.95eV～1.05eV,是有望实现突破的材料.我们通过选取合适的生长方案,在D180MOCVD系统上外延生长了InxGa1-xAs1-yNy材料,并通过高分辨X光双晶衍射仪、分光光度计以及电化学电容-电压(EC-V)测试仪等对材料性能进行了分析.获得了室温下禁带宽度为1.17eV的InxGa1-xAs1-xNy材料.