X射线荧光分析二元合金薄膜的成份

一、引 言 随着薄膜工艺的发展,用蒸发、溅射以及外延的方法制备各种薄膜材料,如磁性薄膜、超导薄膜和半导体薄膜等的工作有了很大的发展.薄膜的成份对其物理特性有直接的影响,所以为了研究薄膜的物理特性,就需要定量地分析它们的成份.本文介绍用X射线荧光分析二元钆钴合金薄膜成份的一种方法.这种方法原则上对任何二元薄膜都适用. 用通常的化学分析方法确定钆钴膜的成份有两个缺点,一是样品的量少,化学分析结果的误差较大;二是破坏了样品.而X射线荧光分析法不仅快速、准确,而且不破坏样品. 用X射线荧光分析成份与用电子探针或离子探针定…     

a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中空间电势分布和光电导的理论计算

本文从a-Si:H体材料的缺陷态模型出发,考虑在a-Si:H/a-SiN:H超晶格中由于空间电荷转移掺杂效应,以及界面不对称引起的a-Si:H阱层的能带下降和弯曲,严格求解空间电势分布和电荷分布,发现a-Si:H阱层中能带的下降值远大于由界面电荷不对称所引起的两端电势能差,且随转移到阱层中的电荷总量的变化非常敏感。空间电荷分布比较平缓,当不对称参数K=0.9时,空间电荷浓度的最大差值不到两倍。在此基础上,计算了超晶格中光电导的温度曲线,发现引起超晶格中暗电导和光电导相对于单层膜增大的主要原因是转移电荷量的多少,而界面电荷不对称的影响则小得多。计算中对带尾态采用Simmons-Taylor理论,考虑a-Si:H中悬挂键的相关性,并用巨正则分布讨论其在复合过程中的行为。     

用Xα-DV方法研究CO,NO在Ⅷ族过渡金属表面的化学吸附(Ⅱ)——NO分子在Pd(111)表面的化学吸附

本文用X_α-DV方法计算了NO在Pd(111)表面化学吸附问题。得到了它的电子结构,包括分子丛轨道能量本征值谱、态密度、电荷转移等等结果。在计算中特别考虑了NO之间的相互作用,所得总态密度与实验UPS十分相符,从而支持了LEED所示的几何结构,决定了NO的吸附高度为1.27?,并得知吸附于Pd表面的NO分子之间的相互作用十分重要。从理论上探讨了NO分子在Pd表面吸附时的活化作用。计算了NO分子各个轨道上的占有数,发现其电荷转移情况与CO在过渡金属表面吸附的情况相似。另外,还发现NO的吸附对Pd的价电子能带无重大影响。 关键词：     

用X_α-DV法计算CO在Pd(Ⅲ)上的化学吸附

对CO在Pd面上的吸附,近年来已做了不少研究工作,包括LEED、UPS、TDS、SIMS、ELS、ESD和IRAS等,得到了许多有价值的资料。由LEED知,当CO的吸附覆盖度为0.33时,几何结构为3~(1/2)×3~(1/2)R30°。由IRAS知,CO是以分子形式吸附在Pd(Ⅲ)表面的空位(即三度位)上,且C—O键垂直于     

a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中空间电势分布和光电导的理论计算

本文从a-Si:H体材料的缺陷态模型出发,考虑在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中由于空间电荷转移掺杂效应,以及界面不对称引起的a-Si:H阱层的能带下降和弯曲,严格求解空间电势分布和电荷分布,发现a-Si:H阱层中能带的下降值远大于由界面电荷不对称所引起的两端电势能差,且随转移到阱层中的电荷总量的变化非常敏感。空间电荷分布比较平缓,当不对称参数K=0.9时,空间电荷浓度的最大差值不到两倍。在此基础上,计算了超晶格中光电导的温度曲线,发现引起超晶格中暗电导和光电导相对于单层膜增大的主要原因是转移电荷量的多少,而界面电荷不对称的影响则小得多。计算中对带尾态采用Simmons-Taylor理论,考虑a-Si:H中悬挂键的相关性,并用巨正则分布讨论其在复合过程中的行为。 关键词：     

非晶态TbFe_2薄膜的磁性和电性

本文研究了TbFe_2非晶态薄膜的磁性和电性,测量了M_s(T)(77—800K),ρ(T)(4.2—400K)和穆斯堡尔谱(18K,400K),得到居里温度T_c～400K,电阻极小值温度T_(min)～360K,在T<360K范围内观察到温度系数为负的类Kondo效应,用 Hesse和Window两种不同方法解出了室温穆斯堡尔谱的超精细场,得到了H=210kOe和H=25kOe两种分布,其中前一组给出了铁磁性,后一组可能与类Kondo型电阻反常有关,实验结果还表明,铁离子自旋受很强的局域各向异性场作用,这和Harris模型相符。     

用铁磁共振方法同时测定单晶外延膜的K_u和K_1

本文导出了兼具沿晶面法向感生单轴各向异性(K)和立方磁晶各向异性(K_1)的任一晶面沿任一方向的薄膜共振场公式,从而提出了同时测定K和K_1的一种方法。以(111)晶面为例,给出了具体方法和实验结果。     

非晶态TbFe2薄膜的磁性和电性

本文研究了TbFe₂非晶态薄膜的磁性和电性,测量了M_s(T)(77—800K),ρ(T)(4.2—400K)和穆斯堡尔谱(18K,400K),得到居里温度T_c～400K,电阻极小值温度T_min～360K,在T<360K范围内观察到温度系数为负的类Kondo效应,用Hesse和Window两种不同方法解出了室温穆斯堡尔谱的超精细场,得到了H=210kOe和H=25kOe两种分布,其中前一组给出了铁磁性,后一组可能与类Ko 关键词：     

用铁磁共振方法同时测定单晶外延膜的Ku和K1

本文导出了兼具沿晶面法向感生单轴各向异性(K_u)和立方磁晶各向异性(K₁)的任一晶面沿任一方向的薄膜共振场公式,从而提出了同时测定K_u和K₁的一种方法。以(111)晶面为例,给出了具体方法和实验结果。