强场与级联型三能级原子相互作用中原子的偶极压缩效应

采用数值计算方法研究了强相干初态光场与级联型三能级原子相互作用中原子的偶极压缩效应结果表明:级联型三能级原子偶极算符的两个正交分量均呈现出周期性的压缩现象,原子存在偶极压缩,且压缩的最大深度比弱场作用情况下要深得多;随着n值的不断增大,偶极算符两个正交分量的振荡频率随之增大,场与原子的非线性耦合越来越强,且振荡重复地出现复苏缩现象.     

啁啾Moire光栅波分复用/解复用器件的理论分析

根据耦合模理论,用传输矩阵法计算了啁啾Moire光栅的透射谱特性,分析表明其透射谱具有多个通带及好的通道隔离度.通过调整光栅各参量可获得通道间隔满足国际电信联盟标准的啁啾Moire光栅.     

第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,衬底加热３００℃,纯Ａｒ气氛下制备的用Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２薄膜材料（简称ＹＳＺ薄膜）,发现了ＹＳＺ薄膜在不同深度处的缺陷分布情况,退火温度对ＹＳＺ薄缺陷影响,简要讨论了致密、优质ＹＳＺ薄的制备方法。     

CaO—SnO2薄膜乙醇气敏元件的研究

采用真空镀锡膜，锡膜氧化，浸泡掺杂的方法研制了掺ＣａＯ的ＳｎＯ２薄膜气膜气敏元件。     

MgO-SnO2薄膜乙醇气敏元件的研制

采用真空镀锡膜、锡膜氧化，浸泡掺杂的方法研制了掺MgO的SnO2薄膜气敏元件，在对乙醇、丙酮等八种气体的测试结果表明：MgO-SnO2元件提高了对乙醇的灵敏度和选择性，而对其余气体的气敏特性同未掺杂元件相类似，实验发现，随着浸泡液浓度的增大，元件对乙醇的灵敏度并不是单调地随之增大，而是出现了一个峰值，实验还发现经Mg(NO3)2溶液处理过的元件对乙醇的灵敏度与乙醇浓度之间的线性关系大大拓宽，在敏感机理方面，提出了流过元件电泫I的公式，该公式可以较好地解释实验现象，利用化学方法在SnO2薄膜中掺入MgO，所制备的元件既克服了烧结型元件的缺点，又克服了薄膜元件物理方法掺杂时掺杂量难以控制的不足之处，为开发新型薄膜气敏元件作了一种尝试。     

二芳烯材料在重复擦写体全息存储中的应用研究

二芳烯材料是一种性能优异的光致色变材料,具有很好的抗疲劳性能,一般能重复擦写上万次,而不损失其性能。通过体全息光栅记录实验、角度复用体全息存储实验、重复擦写及强光记弱光读等实验,对二芳烯材料在重复擦写体全息存储中的应用进行了系统研究。由于二芳烯材料具有很高的折射率调制度(Δn=1.15×10-3)、可多次重复擦写、强光记弱光读的准非易失等性能,在可重复擦写的体全息存储中具有广阔的应用前景。     

基于周期性极化铌酸锂倍频的光学电压传感方法

从光学电压传感器的原理出发,在周期性极化铌酸锂(PPLN)晶体倍频(SHG)效应基础上,提出了一种新的光学电压传感方法,讨论了周期性极化铌酸锂不同长度、不同占空比对该电压传感性能的影响,并给出了图示。结果表明：当周期性极化铌酸锂长度一定,在占空比为0．3或0．7时,灵敏度最高;在占空比趋于0．5,但不等于0．5时,电压测量范围最大;长度增加,灵敏度提高,但测量范围变小。这些结果为制作此类传感器提供了可靠的理论依据。     

第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,衬底加热300℃,纯Ar气氛下制备的用Y_{2O3稳定的ZrO2薄膜材料(简称YSZ薄膜),发现了YSZ薄膜在不同 深度处的缺陷分布情况,退火温度对YSZ薄膜缺陷有影响.简要讨论了致密、优质YSZ薄膜的 制备方法.}     

硫脲在HNO3介质中共吸附行为的喇曼光谱研究

用常规Raman谱、电化学现场表面增强喇曼散射光谱(SERS)和时间分辨SERS光谱(TRSERS)研究了硫脲(TU)在HNO₃介质中与NO-3的共吸附行为.实验结果表明,NO₃^-离子能被TU诱导共吸附在其质子化氨基上;TU以S端按σ配位键方式化学吸附在银电极表面.在较正电位区间(≥-0.6V),TU垂直吸附,电位负移(≤-0.8V),TU由垂直逐渐转变为倾斜甚至平躺吸附;在较负的电位下(≤-0.8V),TU在HNO₃介质中比在HClO₄中更稳定,甚至在-2.0V的电位下亦能检测到TU的SERS信号.     

薄膜应力快速测量系统的研制

采用激光干涉原理ＣＣＤ摄像，计算机处理技术实现快速测量薄膜的应用。