氧化钇对氧化铝陶瓷致密化的影响

采用湿法球磨方法将不同含量氧化钇粉末添加到氧化铝粉末中,经冷等静压成型,1550℃常压烧结。通过研究发现,当氧化钇含量低于0.25wt%时,晶粒长大,存在封闭晶内气孔,相对密度变小,致密化程度低;当氧化钇含量介于0.25wt%~0.75wt%时,随着氧化钇含量增加,封闭气孔减少,晶粒减小,致密化程度增高;当氧化钇含量为1.0wt%时,在晶界生成第二相钇铝石榴石,相对密度较小,致密化程度降低。     

基于热膨胀性质的ZrO2 固体电解质性能与相关系模型

ZrO₂固体电解质室温下各相的相对含量、高温可相变量是决定材料抗热震性和导电性能的关键因素.固体电解质抗热震性与导电性能的匹配,对低氧含量下的钢水定氧起着重要作用.以此为前提,建立了电解质材料体系的抗热震性与室温相比例之间的线性模型,提出了其高温电导率与相变之间的演化模型.为制备用于测低氧活度的高精度冶金氧传感器提供参考依据.     

基于阻抗模型解析的氧化锆固体电解质组织结构演变模型

晶界对多元多晶电解质材料电导率的影响, 已成为制约高温固体电解质材料发展的瓶颈. 传统的晶界观察方法难以将高温下材料的组织结构与电导性能相对应. 鉴于此, 本文研究了部分稳定氧化锆(PSZ) 固体电解质材料的变温交流阻抗特性, 并对交流阻抗谱进行了拟合分析, 发现等效拟合电路随温度的上升而发生变化. 通过对不同等效电路模型的物理解析, 得出PSZ电解质材料显微结构在高温下的演变模型. 经进一步分析, 演绎出一种'短程有序'的'晶界桥接'组织模型, 为改善PSZ电解质材料的晶界电导提供了参考.     

第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,衬底加热３００℃,纯Ａｒ气氛下制备的用Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２薄膜材料（简称ＹＳＺ薄膜）,发现了ＹＳＺ薄膜在不同深度处的缺陷分布情况,退火温度对ＹＳＺ薄缺陷影响,简要讨论了致密、优质ＹＳＺ薄的制备方法。     

ZrO_2纳米粉体的形貌可控合成及其吸附性能研究

利用水热法,以Zr(SO_4)_2·4H_2O为原料,添加Na_2SO_4后合成出花状和棒状形貌可控的纳米ZrO_2纳米粉体。随着SO_4~(2-)浓度升高,t-ZrO_2含量逐渐减少,颗粒微观形貌由三维花状变为二维棒状。利用XRD和SEM研究了Na_2SO_4对ZrO_2粉体相结构、微观形貌和粒径的影响规律。确定了SO_4~(2-)对结构和形貌调控的关键性作用,并提出了可能的成型机理。花状ZrO_2对罗丹明B有良好的吸附性能,吸附容量达到20 mg/g,而棒状ZrO_2的吸附性能一般,仅为4 mg/g。     

La_(1-x)Sr_xCoO_3气体扩散电极在碱性条件下的氧还原电催化性能

用涂覆加压成型方法制备了具有钙钛矿结构的 La1 - x Srx Co O3多孔气体扩散电极 ,测定了它们的稳态阴极极化曲线和循环伏安图谱。通过对多孔铂电极与 La1 - x Srx Co O3多孔气体扩散电极的相关曲线的对照分析 ,得出了L a1 - x Srx Co O3在碱性条件下 ,具有比铂更好的氧还原催化活性的结论。并计算出 L a1 - x Srx Co O3多孔电极的表观交换电流密度 i0 =7.6 8× 1 0 - 4 A/cm2 ,比同样条件下的铂电极的 i0 高 3～ 4个数量级。     

第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,衬底加热300℃,纯Ar气氛下制备的用Y_{2O3稳定的ZrO2薄膜材料(简称YSZ薄膜),发现了YSZ薄膜在不同 深度处的缺陷分布情况,退火温度对YSZ薄膜缺陷有影响.简要讨论了致密、优质YSZ薄膜的 制备方法.}