光交联交替层状自组装(LBL)抗菌膜的制备及其性能研究

针对静电超分子作用的交替层状自组装(LBL)膜稳定性差、易分解和难以实现应用的问题,设计合成了一种光交联型抗菌LBL多层膜.该LBL多层膜由修饰有光敏邻硝基苄醇分子的透明质酸(HANB)与季铵化的壳聚糖(ACS)通过静电作用在基片上交替沉积而成.光照后,HANB上的邻硝基苄醇分子产生活性醛基,与邻近壳聚糖上的氨基发生亚...     

薄膜硅/晶体硅异质结电池中本征硅薄膜钝化层的性质及光发射谱研究

本文采用甚高频等离子体化学气相沉积技术 (VHF-PECVD) 制备薄膜硅/晶体硅异质结电池中的本征硅薄膜钝化层, 光发射谱 (OES) 测量技术研究了硅薄膜沉积过程中等离子体发光谱随时间的变化. 结果表明: 在实验优化条件下等离子体发光谱很快达到稳定 (大约25 s), 并且SiH^*/H_α^* 的比值随时间变化较小, 避免了生长过程中硅薄膜结构的不均匀性, 这主要是SiH₄没有完全耗尽避免了SiH₄的反向扩散. 进一步研究了沉积参数对稳态发光谱和硅薄膜性质的影响, 结果表明: 随着硅烷浓度增加, H_α^*峰强度减小, SiH^*峰强度增加, 薄膜从微晶转变成非晶, 非晶硅薄膜钝化效果好; 随着沉积气压增大, H_α^*和 SiH^*峰强度先增加后减小, 高气压下H_α^*和 SiH^*峰强度下降主要是反应前驱物的聚合形成高聚合物, 不利于形成高质量的硅薄膜, 因此钝化效果下降; 随着反应功率密度增加, H_α^*和 SiH^*峰强度增大, 当功率密度为150 mW/cm² 趋于饱和, 硅薄膜的致密度和钝化效果也开始下降, 50 mW/cm²的低功率密度下硅薄膜钝化效果差可能是由于原子H 浓度低, 不能完全钝化单晶硅表面的悬挂键. 关键词： 薄膜硅 异质结 光发射谱 钝化     

从“水排”看儒法斗争对古代机械发展的影响

我国古代冶金机械水力鼓风机——“水排”,是世界科学技术史上的重大发明之一。它发明于东汉初年,却到曹魏时代才得到推广和发展,中间被埋没近两百年,这深刻地反映出儒法两条路线对科学技术起到截然相反的作用。 “水排”是东汉建武七年(公元三十一年)杜诗出任南阳太守时,在总结当地劳动人民冶铁生产经验的基础上发明的。南阳是我国古代具有冶铁手工业传统的地区,早在战国时代就能锻炼钢铁,制造锋利兵器。西汉时代由于汉武帝实行盐铁官营政策,这里的冶铁业得到更大发展.在东汉以前冶铁鼓风(排)已由“人排”逐渐发展到“马排”。因此,“水排”的创造决不是个别人的偶然的行为,而是我国冶铁手工业工人生产实践经验的结晶。而杜     

Molar volume, thermal expansivity and isothermal compressibility of trans-decahydronaphthalene up to 200MPa and 446K

The molar volume isotherms of trans-decahydronaphthalene （C10H18） between 293 and 446 K and at pressures from 10 to 200 MPa have been determined. A modified Tait equation of state is used to fit each experimental molar volume isotherm with a maximum average deviation of 0.029%. The thermal expansivity （cubic expansion coefficient） α and isothermal compressibility κ were determined by fitting the slopes of the isobaric curves and isotherms, respectively. The coefficients in the equation Vm=C1＋C2T＋C3T^2-C4p-C5pT have been fitted with an average deviation of 1.03%.     

超临界CO2+碳酸二乙酯二元体系高压气-液相平衡

在带有石英视窗的可变体积高压釜内,于333,353,373和393K等4个温度下,测定了3.0～15.0MPa范围内超临界CO2与碳酸二乙酯(DEC)二元体系的气-液平衡数据.结果表明,当温度恒定时,随着压力的增大,液相中超临界CO2的浓度急剧增大,气相中碳酸二乙酯的浓度缓慢增加.根据实验结果推测出了体系的pc,Tc,xc和Vc等临界性质.     

椭圆偏振光谱表征单晶硅衬底上生长的非晶硅和外延硅薄膜

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术在单晶硅衬底上沉积了两个系列的硅薄膜. 通过对样品进行固定角度椭圆偏振测试, 结果表明第一个系列硅薄膜为非晶硅, 形成了突变的a-Si:H/c-Si异质结构, 此结构在HIT电池中有利于形成好的界面特性, 对于非晶硅薄膜采用通常的Tauc-Lorentz摇摆模型(Genosc)拟合结果很好; 第二个系列硅薄膜为外延硅, 对于外延硅薄膜, 随着膜厚增加晶化率降低, 当外延硅薄膜厚度为46 nm时开始非晶硅生长. 对于外延硅通常采用EMA模型(即将硅薄膜体层看成由非晶硅和c-Si构成的混合层)拟合结果较好, 当硅薄膜中出现非晶硅生长时, 将体层分成混合层和非晶硅两层, 采用三层模型拟合结果很好. 本文证实了椭偏光谱分析采用不同的模型可对单晶硅衬底上不同结构的硅薄膜进行有效表征.     

光/还原双重响应水凝胶微球的制备及在细胞三维(3D)培养中的应用

设计合成了一种光/还原双响应水凝胶微球, 该微球可在温和的刺激条件下实现三维(3D)细胞的大规模培养和无酶无损捕获. 水凝胶微球组分中包含一个双响应功能单体(M1), 其中邻硝基苄酯功能基团可在紫外光照下与氨基化合物发生光偶联作用, 从而在水凝胶微球表面实现黏附蛋白的有效固定, 并通过蛋白质-整合素相互作用介导细胞的黏附. 微球表面细胞生长增殖后, 其中的二硫键基团可被谷胱甘肽还原, 从而介导细胞无酶无损温和释放. 这种通过调节水凝胶微球表面生物活性分子的固定与释放介导细胞黏附与捕获的新方法为细胞工程提供了一种通用而有效的手段.