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采用密度泛函理论B3LYP方法研究了单重态GeH2与HNCO的反应机理。在B3LYP/6-311++G**水平上对反应物,中间体,过渡态进行了全几何参数优化,通过频率分析和IRC确定中间体和过渡态,用QCISD(T)/6-311++G**方法计算了各个驻点的单点能。计算表明单重态的锗烯与异氰酸的反应有抽提氧、插入N-H键、抽提亚氨基的共七条反应路径。采用经Winger校正的Eyring过渡态理论分别计算了1个大气压、不同温度下反应势垒较低通道的热力学及动力学性质,结果表明插入N-H键反应(GeH2+HNCO→IM7→TS6→P2)通道在温度400K~1400K内,有较高的平衡常数和反应速率常数,为主反应通道,主产物为GeH3NCO。 相似文献
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纳米(Li2AO4)1—x—(ZrO2)x固体电解质陶瓷 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶液凝胶共混法制备了纳米级的Li2SO4-ZrO2复合固体电解质陶瓷。在复合陶瓷中,Li2SO4、ZrO2的晶粒平均尺寸分别为45、27nm。晶粒尺寸的纳米化在材料中引入了大量的界面结构和表面结构。研究了掺不同量的纳米ZrO2第二相对Li2SO4相变温度、相变行为及体系电导的影响,在纳米ZrO2作用下,Li2SO4的相变温度可以降低140℃。在适当配比时,在540℃其离子电导可达到0.2S/cm 相似文献
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用密度泛函UB3LYP/6-311++G**方法计算研究了气相中CrO2+ (2A1/4A")活化甲烷C—H键的微观机理, 找到了四条反应通道. 对其中涉及的两态反应(TSR)进行了分析, 并对影响反应机理和反应速率的势能面交叉现象(potential energy surfaces crossing)进行了详细讨论, 进而运用Hammond假设和Yoshizawa等的内禀坐标单点垂直激发计算的方法找出了一系列势能面交叉点[crossing points (CPs)], 并作了相应的讨论. 进一步用碎片分子轨道理论[fragment molecular orbital (FMO)]对TS1中的轨道相互作用进行了分析, 解释了CrO2+活化甲烷C—H键的机理. 相似文献
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用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明:CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。 相似文献
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采用密度泛函理论B3LYP方法研究了SiH2自由基与HNCO的反应机理, 并在B3LYP/6-311++G**水平上对反应物、中间体、过渡态进行了全几何参数优化, 通过频率分析和内禀反应坐标(IRC)确定了中间体和过渡态. 为了得到更精确的能量值, 又用QCISD(T)/6-311++G**方法计算了在B3LYP/6-311++G**水平优化后的各个驻点的相对能量. 计算结果表明SiH2自由基与HNCO的反应有五条反应通道, 其中顺式反应通道SiH2+HNCO→IM3→ TS4→IM5→TS5→IM6→SiH2NH+CO反应能垒最低, 为主反应通道. 相似文献
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环丙烯基自由基是我们熟知的最小环状化合物。人们用不同的理论方法对它进行了预测。一般认为平面构型(D_(3h)对称性)要经受Jahn-Teller畸变以消除π轨道的简并性,畸变过程如图1所示。我们研究了此类三元环自由基引起的键的“弯曲效应”,以便对这类“张力”分子的成键特性及Jahn-Teller畸变、芳香性等给出某些理论信息,探讨其理论计算结果所能阐明的问题。 相似文献