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研究了V2O5/AC捕获的Hg在再生和程序升温脱附（TPD）过程中的释放行为,考察了再生后V2O5/AC对Hg0的捕获能力。结果表明,热再生（Ar,400℃）或NH3再生（NH3/Ar,300℃）过程会使V2O5/AC捕获的大部分Hg重新释放,释放率分别为81%和94%。由于AC的还原作用,再生过程中释放的Hg以Hg0的形式为主。TPD结果表明,V2O5/AC捕获的Hg在Ar和NH3/Ar气氛下的释放行为明显不同。气氛中NH3对Hg的释放具有明显的促进作用,使Hg的释放在300℃前基本结束。但在Ar气氛下,Hg在400℃后仍有释放,致使热再生时Hg的释放率低于NH3再生时的释放率。但当NH3的体积分数由1%增加到5%时,汞的释放率变化很小。温度足够高时,两种气氛下Hg的释放率趋于一致。再生方法对V2O5/AC二次捕获Hg0的能力影响不大,两种气氛下再生后的V2O5/AC对Hg0的捕获能力差别很小,较新鲜V2O5/AC对Hg0的捕获能力有所降低,但仍高于载体AC对Hg0的捕获能力. 相似文献
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本文在[BMIM]OAc-H2O电解液中研究了Cr3+的电沉积反应. 经循环伏安研究表明,Cr3+的还原属于受扩散控制的分步还原过程, 即Cr3+ + e →Cr2+和Cr2+ + 2e → Cr0. 在40℃下通过Rendle-Sevcik方程计算得到Cr3+的扩散系数为1.2×10-8 cm2/s. 采用计时电流法探讨了Cr的三维瞬时成核机理. 对沉积的铬镀层进行了XRD、SEM表征, 结果表明经600℃氩气保护下煅烧后的镀层由Cr和Cr2O3纳米球状颗粒聚集而成, 其平均粒径为0.48μm. 对40℃,-3.0V条件下所得镀层进行EDX检测,发现Cr与O的能级峰十分明显,其中Cr的质量分数为83.8%. 通过在[BMIM]OAc、[BMIM]BF4和[BMIM]PF6三种离子液体体系中电镀得到的Cr镀层质量的比较, 表明OAc-的确有利于Cr的电沉积. 相似文献
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