磁性PS-DEA树脂的制备与表征

利用二乙醇胺(DEA)对氯甲基化聚苯乙烯基树脂(PS-Cl)进行表面改性,制备了亲水性的PS-DEA树脂,然后以FeCl3·6H2O和FeSO4·7H2O为前驱体通过共沉淀法原位复合制备了磁性PS-DEA树脂.表征了磁性PS-DEA样品的形貌、结构以及磁性能,研究了PS-DEA和磁性PS-DEA对水溶液中Hg(Ⅱ)的吸附性能.结果表明,含有Fe3O4的磁性PS-DEA树脂的比饱和磁化强度(Ms)为0.92 A·m2/kg,磁性树脂中Fe3O4所占的质量分数为1.7%.用Langmuir等温模型拟合了PS-DEA和磁性PS-DEA对水溶液中Hg(Ⅱ)的吸附数据,计算得到最大吸附量分别为320.51和352.11 mg/g,这表明磁性纳米粒子的引入有利于提高树脂的吸附性能,这种磁性树脂有望作为吸附剂用于水处理领域.     

[Co(NH3)6]2+催化乙炔氧化缩聚合成β型线型碳

在T=35℃的条件下,以盐酸为酸化剂、[Co(NH3)6]2+为催化剂,催化乙炔氧化缩聚合成了β型线型碳.通过红外光谱、拉曼光谱和x-衍射对产物进行了结构表征.pH=6,六水氯化钴(Ⅱ)用量为0.4g时,β型线型碳的产率为61.18%,其中Co(Ⅱ)的含量为1.72%.TG和DTA分析结果表明:在227.4℃时,β型线...     

二氧化铬阴离子光电子能谱的理论研究

凭借密度泛函理论,采用不同基组对中性分子CrO2的基态（ 3B1）以及阴离子CrO2‾的基态（ 4B 1）进行几何优化和振动频率分析;应用量化计算得到的力常数及结构和光谱参数,基于推得的两维四模Franck-Condon重叠积分的代数表示,对CrO2 ( 3B1)－CrO2‾ ( 4B1) 的光脱附过程进行Franck-Condon分析和光谱模拟,理论上得到光电子能谱的谱线相对强度及振动结构分布,理论谱与实验测得的二氧化铬阴离子光电子能谱达到一致,并对光电子能谱的振动结构进行归属及热带分析;另外,在光谱模拟过程中通过迭代Franck-Condon分析过程,推得CrO2‾（ 4B1）与CrO2（ 3B1）平衡几何结构之差：ΔR(Cr-O)= 0.05Å,Δ(O-Cr-O)=12o.     

部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.     

植物多酚模型体系与V(Ⅴ)的配位机理

通过实验和量子化学计算研究了植物多酚分解产物表棓儿茶素棓酸酯(EGCG)与V(Ⅴ)配合物的反应机理和光谱性质. 紫外-可见光谱分析发现, V(Ⅴ)与EGCG形成了二配位化合物, 该配合物在588和710 nm处均有吸收, 最大吸收峰在588 nm处. 通过含时密度泛函理论计算得到该配合物的模型化合物的吸收光谱. 用量子化学方法在B3LYP/6-311G水平上研究了多酚类化合物与V(Ⅴ)配位反应的机理, 获得了体系势能面信息及反应能垒, 证实了配位反应历程中存在多个基元反应, 并历经四元环状过渡态形成二配位化合物.     

钠型斜发沸石对高钙苦卤中钾离子的吸附研究

我国具有丰富的盐湖苦卤资源[1].其中含有高浓度的钙、镁、铁、钡、钾和溴等有价值的矿产,并已形成了以钾、溴和镁为产品链的苦卤化工行业[2].由于我国陆地钾矿资源相对短缺,从苦卤和海水中选择性地提取钾,一直受到研究者的重视.     

Ionizing Dose Effect of Thermal Oxides Implanted with Si^＋ Ions

Total ionizing dose effects of Si^＋ ion implanted thermal oxides are studied by 10keV x-ray irradiation. Photoluminescence （PL） method is engaged to investigate nanostructures of samples. Ar^＋ implanted samples are also studied by the same way to provide a comparison. The results show that Si^＋ implantation following with high temperature annealing can significantly reduce the radiation induced flatband shift, which is caused by net posi- tive charge accumulation in oxides. This reduction is attributed to the formation of Si nanoscale structures. Ar^＋ implantation is also found to reduce the radiation induced flatband shift, while it is different that the reduction with Si^＋ implantation shows little dependence on implant dose of Ar^＋ ions. This is explained by possible increase of recombination centres.     

复合Linex对称损失下Kumaraswamy分布参数的Bayes估计

当参数的先验分布为伽玛分布时,在复合Linex对称损失函数下得到了Kumaraswamy分布参数θ的唯一的Bayes估计,多层Bayes估计和E-Bayes估计,并通过数值模拟说明了所给参数估计的稳健性和精确性.     

Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened fully-depleted SIMOX SOI wafers

The total dose radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened and unhardened FD （fully-depleted） SIMOX （Separation by Implanted Oxygen） SOI （Silicon-on-insulator） wafers is presented. At 1 Mrad（Si） radiation dose, the threshold voltage shift of the pseudo-MOS transistor is reduced from -115.5 to -1.9 V by the hardening procedure. The centroid location of the net positive charge trapped in BOX, the hole-trap density and the hole capture fraction of BOX are also shown. The results suggest that hardened FD SIMOX SOI wafers can perform well in a radiation environment.