液-固色谱流动相体积分数层次结构模型与保留值的关系

用液-固色谱流动相"假定"的体积分数层次结构模型,可得到质点团溶解溶质时的体积分数,进而得到共溶剂中溶质的溶解度、固定相上的溶质吸附量,从而推导出多元流动相组成与溶质保留值的关系.如三元流动相与溶质保留值的关联式为:lnk'=φB3lnk'B3 φB2lnk'B2 φB1lnk'B1 φB1(φB20.5 φB30.5)ln(q)(外Ⅱ) φB30.5φB21.0φB11.5ln(q)(外Ⅰ),经实验数据拟合,本式较其他关联式略胜一筹.     

西沙群岛贝壳中化学元素的X射线荧光光谱测定

西沙群岛海产贝类有500多种,它们的壳体为珊瑚礁的形成提供了一定数量的原料,并参与了造礁。对其化学组成进行分析研究,将为深入研究珊瑚礁提供依据。本文介绍了一个用光谱纯CaCO_3按不同比例稀释GSD系列标样制备标准样品,直接粉末法压片,经验系数法校正元素间效应,测定西沙群岛贝壳中CaO,Al_2O_3,SiO_2,Fe_2O_3,P,Sr,Zn等元素的XRF法。方法精密度较好,分析结果与化学分析和     

钛酸盐功能材料的研究与应用

本文综述了钛酸盐功能材料的各种性质、合成方法及用途。指出关于新型钛酸盐产品的制备、新性能的发现及寻求新的应用领域是一项值得深入研究的课题。     

以偏钛酸为原料常压水热法合成纳米钛酸锶

以廉价的工业级偏钛酸和氯化锶为原料,用常压水热法于100℃反应6 h一步合成了纳米钛酸锶。当n(SrC l2)∶n(H3TiO3)=1.0∶1.1,pH=12时,所得钛酸锶的n(Ti)∶n(Sr)=1.02∶1.00。纳米钛酸锶经IR,XRD和TEM表征。结果显示,钛酸锶为球形粒子,属立方晶系(a=3.9200);一次粒径平均值为22 nm,粒径分布为20 nm~40 nm,无明显团聚。     

负载PbO催化剂对苯胺与碳酸二甲酯合成苯氨基甲酸甲酯的催化性能

 考察了几种负载PbO催化剂对苯胺(An)与碳酸二甲酯(DMC)反应合成苯氨基甲酸甲酯(MPC)的催化性能. 结果表明, PbO/SiO2对该反应表现出很高的催化活性. 当w(PbO)=3.6%, n(PbO)/n(An)=1%, n(DMC)/n(An)=5, θ=160 ℃和t=4 h时, MPC收率达到99.5%. PbO/SiO2容易从反应体系中分离,且可重复使用5次,催化活性基本保持不变,使用寿命较长.     

一种快速抽提微量成分的热逆流提取装置

液固萃取在化学实验及研究中常常遇到,索氏提取器是液团萃取普遍采用的装置,它具有简单、提取率高等特点,但采用索氏提取器从较大体积的固体样品中提取微量成分是很困难的。对于要求在较高温度下进行液固萃取也难于实现。为此我们设计了一种热逆流提取器,它不仅可满足上述要求,而且使萃取过程连续化。该装置主要由单口烧瓶、三颈烧瓶和热逆流提取器组成(图1)。     

国内外碳酸二甲酯酯交换反应催化剂研究进展

碳酸二甲酯（DMC）是一种重要的有机合成原料及中间体，DMC带有-CO、-COOCH3和CH3基团，可进行羰基化、甲基化、甲氧基化和羧甲基化反应，取代传统使用的有毒原料光气、硫酸二甲酯和甲基氯等。因此，1992年DMC在欧洲被登记为绿色无毒化学品，DMC可替代光气合成聚碳酸酯、碳酸二苯酯、异氰酸酯（TDI、MDI、HDI、IPPI）及烯丙基二甘醇碳酸酯（ADC）；也可用于合成氨基甲酸酯类农药（西维因）、苯甲醚、甲基芳胺等；此外，DMC具有高的含氧量（53．3％），可以用做汽油添加剂，能有效提高汽油的辛烷值；还具有与其它溶剂相溶性好，蒸发速度快的特点，适于在特种油漆、药物制造行业使用。因此，碳酸二甲酯是一种有广阔发展前景的化学品。     

碳酸乙烯酯合成碳酸二苯酯的GC-MS分析

以钛酸四丁酯催化碳酸乙烯酯与乙酸苯酯酯交换合成碳酸二苯酯(DPC)。GC-MS定性分析表明,反应液中含主产物DPC,中间体2-乙酰氧乙基苯基碳酸酯(1),副产物乙二醇二乙酸酯、乙二醇苯醚乙酸酯和苯酚。1的结构经1H NMR,13C NMR,FT-IR和EI-MS确证。     

X射线荧光光谱铝环-双层压片法测定土壤中常量和微量元素

本文提出用铝环-双层压片法制片,经验系数法校正吸收-增强效应,对少量土壤样品中的常量和微量元素进行了定量测定。取样量为500 mg,制样与测量精确度好于5%,用本法对标样的分析表明,分析值与推荐值基本一致,本法具有简单、快速、成本低的特点,适用于少量样品的分析。     

Water-based processed and alkoxide-based processed indium oxide thin-film transistors at different annealing temperatures

In this study,indium oxide(In_2O_3) thin-film transistors(TFTs) are fabricated by two kinds of low temperature solution-processed technologies(Ta ≤ 300?C),i.e.,water-based(DIW-based) process and alkoxide-based(2-ME-based)process.The thickness values,crystallization properties,chemical structures,surface roughness values,and optical properties of In_2O_3 thin-films and the electrical characteristics of In_2O_3 TFTs are studied at different annealing temperatures.Thermal annealing at higher temperature leads to an increase in the saturation mobility(μsat) and a negative shift in the threshold voltage(VTH).The DIW-based processed In_2O_3-TFT annealed at 300?C exhibits excellent device performance,and one annealed at 200?C exhibits an acceptable μsat of 0.86 cm~2/V·s comparable to that of a-Si:H TFTs,whereas the 2-ME-based TFT annealed at 300?C exhibits an abundant μsat of 1.65 cm~2/Vs and one annealed at 200?C is inactive.The results are attributed to the fact that the DIW-based process induces a higher degree of oxidation and less defect states than the 2-ME-based process at the same temperature.The DIW-based process for fabricating the In_2O_3 TFT opens the way for the development of nontoxic,low-cost,and low-temperature oxide electronics.