| 硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中可溶性硅 |
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| 引用本文： | 陈灵因,赵广超,李蜀萍.硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中可溶性硅[J].分析试验室,1995(3). |
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| 作者姓名： | 陈灵因 赵广超 李蜀萍 |
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| 作者单位： | 安徽师范大学测试中心 |
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| 摘 要： | 本文报导了以玻碳电极为基体的１：１２硅钼杂多阴离子薄膜化学修铈电极的制备及其电化学特性。并应用于导数伏安法测定。在４．０×１０￣（－３）ｍ０ｌ／Ｌ（ＮＨ＿４）＿６ＭＯ＿７Ｏ＿（２４）－６．８×１０￣（－２）ｍｏｌ／ＬＮａ＿３Ｃｉｔ－０．４８ｍｏｌ／ＬＮＨＯ＿３体系中，硅浓度在８．３×１０￣（－７）～１．７×１０￣（－３）ｍｏｌ／Ｌ范围内与峰电流呈良好线性关系，检测限为８．０×１０￣（－７）ｍｏｌ／Ｌ。对可溶性硅（以ＳｉＯ＿２计）为２４５．０５ｍｇ／Ｌ的黑液，稀释１０倍后，取２．００ｍＬ平行测定９次，ＲＳＤ为０．５８％，加标回收率在９７．３％～１０４．４％间。
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| 关 键 词： | 硅钼杂多酸修铈电极 硅酸根 硅 伏安法 黑液 废水分析 |
1:12 Molybdosilicate Heteropoly An-ion Film Chemically Modifice Electrode for Determination of silicate in Black Liquor ofPaper Factory by Voltammetry |
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| ChenLingyin,Zhao Guangchao and Li Shuping.1:12 Molybdosilicate Heteropoly An-ion Film Chemically Modifice Electrode for Determination of silicate in Black Liquor ofPaper Factory by Voltammetry[J].Chinese Journal of Analysis Laboratory,1995(3). |
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| Authors: | ChenLingyin Zhao Guangchao and Li Shuping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molybdosilicate mod-ifide electrode silicate voltammetry wastewater analysis black liquor |
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