二维过渡金属硫族化合物缺陷工程

二维过渡金属硫族化合物（two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs）具有厚度在原子级别、禁带宽度随层数在1~2 eV内变化、高载流子迁移率（如MoS₂载流子迁移率达到了200 cm²·V^-1·s^-1）等特点,在光学、电学等领域具有广泛应用。TMDs的超薄特性使此类材料与块体材料相比,更容易受到缺陷调控的影响,改变材料原有性能。在本综述中,首先介绍了TMDs的晶体结构和相结构,并根据维度特征对缺陷的类型进行了分类;接着从缺陷的抑制和修复,以及缺陷的制造两方面出发,总结了缺陷调控TMDs材料性能的最新研究进展;在此基础上,介绍了缺陷工程在电学、光学、磁学、电催化等领域的具体应用;最后,本综述讨论了缺陷工程在应用过程中面临的实际问题,并对其未来的研究及发展方向进行了展望。