Amberlyst-15催化C(sp~3)—H对靛红类化合物的加成反应

以Amberlyst-15为催化剂,甲基吡啶类化合物中的C(sp~3)—H键对靛红类化合物经加成反应合成了24个3-羟基-2-吲哚酮类化合物(3a~3x),其中3u~3x为新化合物,其结构经1H NMR,13C NMR,IR和HR-MS(ESI)表征。催化剂Amberlyst-15循环使用8次,不影响反应收率。     

具有形状记忆性能的P(MMA-co-HEA)/PDMS-OH氢键复合物的研究

选择低分子量端羟基聚二甲基硅氧烷(PDMS-OH)与聚(甲基丙烯酸甲酯-co-丙烯酸β-羟乙酯)P(MMA-co-HEA)共聚物原位复合形成氢键复合物,该复合物表现出良好的形状记忆效应.通过FTIR,SEM对材料的结构和形貌进行表征,DMA表征材料的动态力学行为,并通过弯曲实验对材料的形状记忆性能进行了表征及比较.FTIR分析证明PDMS-OH与P(MMA-co-HEA)共聚物形成氢键缔合作用;SEM分析显示,随着PDMS-OH含量的升高,氢键复合物由"海-岛"相分离结构向反转相分离结构转变;DMA分析结果表明,氢键的引入有利于复合物获得更高的模量比;形状记忆性能测试结果显示该氢键复合物具有良好的形状记忆性能,形状记忆固定率超过98%、形变恢复率超过99%,并且与聚(甲基丙烯酸甲酯-co-丙烯酸乙酯)/PDMS-OH(P(MMA-co-EA)/PDMS-OH)复合物相比,氢键复合物显示出更快的形变回复速率.     

采用深度刻蚀与XPS能谱研究缓蚀膜/镀铜层/铁基体界面成分

为了探索焦磷酸盐镀铜层与铁基体结合强度差的原因,采用波谱技术,分析了纵向界面各种元素的成分变化,讨论了金属基体表面粗糙度对元素分布的影响.根据刻蚀时间可将膜层分为三部分:N,O量迅速减少的表面层,有基本固定组成的中间层和占一半厚度的出现基体元素的混合干扰层.通过对后期混合层中氧含量的分析,可得出镀铜层/铁基体界面含氧层的存在是影响电镀层与基体结合强度的主要原因的结论.     

电位活化现象与金属电沉积初始过程的研究

进行了恒电流电位-时间曲线和循环伏安曲线的测定，显示了铁电极进行氰化物镀铜时，镀层沉积前铁表面的电位活化过程. 对铁电极上焦磷酸盐镀铜的初始过程研究表明，由于铜的析出电位较正，铜是在未活化的电极表面上沉积的，因此镀层的结合强度很差.采用氩离子溅射和X射线光电子能谱相结合的方法，检测焦磷酸盐镀铜层和铁基体界面区含氧量的变化，证明了氧化层的存在. 通过添加辅助络合剂和控制起始电流密度的方法，可以增强无氰电镀时阴极的极化. 当铜的析出电位负于铁基体的活化电位时，可显示出铁表面的电位活化过程，定量测量镀层的结合强度也与氰化物电镀相近.