由隧道电子谱微分电导极大值确定超导体能隙的新方法

本文给出一种确定超导体能隙的新方法,由隧道理论计算出V_max/kT与Δ/kT的关系曲线,微分电导极大值电压V_max由隧道电子谱测定,由V_max/kT值及上述曲线很容易计算出能隙Δ值。这种方法很简单,而准确度几乎接近于曲线拟合法。 关键词：     

YBa2Cu3O7—x和GdBa2Cu3O7—x薄膜中的涡旋玻璃转变的观察

本给出了具有高密度孪晶界ｃ取向ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据，在有ａ方向昌粒或４５°晶界的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流的某些特征。     

CdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的涨落电导

测量了高质量的GdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的电阻及磁阻曲线,应用Lawrence-Doniach理论对实验曲线进行了拟合,得到了一组自洽且合理的参数值,由ln(σ—σ_(?))-Int曲线可以明显地看到存在一个二维向三维的转变。     

反应扩散法制备的PbMo_6S_8超导带的超导特性

本文报道反应扩散法制备Chevrel相PbMo_6S_8超导带材的过程以及带材的超导特性。Mo带与H_2S气体反应生成单相的Mo-S化合物(MoS_2或Mo_2S_3,根据反应温度而定),再与Pb的蒸汽反应生成单相的PbMo_6S_8薄层。PbMo_6S_8超导层的临界温度T_c=13.0—14.5K,转变宽度在0.15—0.20K之间,j_c(6T,4.2K)≈1.9×10~8A/m~2。     

Pt和Pd的超薄覆盖层对Ag膜表面增强喇曼散射的影响

在用化学沉积法制成的银岛膜上,蒸镀上不同厚度的Pt和Pd,测量了吡啶分子在Pt-Ag,Pd-Ag体系的表面增强喇曼散射(SERS)谱,得到SERS谱随覆盖层厚度的增加而衰减的关系曲线,并与电磁衰减理论计算的结果作了比较。此外,在两个体系都发现了新的振动谱线。我们认为它对应于吡啶在Pt和Pd上的吸附态。 关键词：     

高温超导薄膜及微波器件应用

介绍了高温超导薄膜制备方法（如磁控溅射、脉冲激光淀积、电子束共蒸发、化学气相沉积等）研究的进展和现状．对薄膜生长中的一些技术，如外延生长高质量的薄膜对基片的要求、常用的基片、为了减小像硅和蓝宝石一类的重要基片与高温超导薄膜间的扩散以及改善晶格匹配所采用的缓冲层技术等也作了简要的介绍，还介绍了薄膜的微波性质和用高温超导薄膜制备的微淡无源器件．     

高温超导微带线的传输特性和设计考虑

利用唯象损耗等效法和宏观唯象模型来分析高温超导微带传输线的传输特性。宏观唯象模型克服了传统二流体模型不适用于高温超导体的缺点,使计算结果符合测量值。本文给出了高温超导体YBCO微带传输线的传输特性计算结果,可见其衰减及色散都很小。因此结合唯像损耗等效法和宏观唯象模型可以使高温超导微带线的设计精度有很大提高。     

高温超导体Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+δ)中的电四极相互作用研究

用微分扰动角关联(DPAC)方法测量了高 T_c 超导体 Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+δ)中的电四极相互作用.由分析室温和液氮温度下的 DPAC 谱,分别得出三组单值的电四极相互作用频率,它们对应于三种处在不同电场梯度(efg)位置的 Bi~1,Bi~2和 Bi~4.由实验结果看到,Bi~1位置的(V_z~1)_z在样品由常态转变为超导态时,增加到1.5倍.在室温和液氮温度下,都看出在Bi~2位置有明显的自旋弛豫现象存在.     

第一讲 高温超导薄膜及微波器件应用

介绍了高温超导薄膜制备方法研究的进展和现状，对薄膜生长的一些技术，如外延生长高质量的薄膜对基片的要求，常用的基片，为了减小像硅和蓝宝石一类的重要基片与高温超导薄膜间的扩散以及改善晶格匹配采用的缓冲层技术等也作了简要的介绍，还介绍了薄膜的微波性质和用高温超导薄膜制血的微波无源器件。     

大面积超导膜均匀性测量装置

本报道由感应法测量大面积高温超导膜均匀性的装置，其特点是探头可以在液氮温区进行两维移动，从而对大面积膜的不同区域进行测量以达到均匀性测量的目的。测量包括超导转变温度Ｔｃ及临界面电流密度Ｋｃ的测量。