由隧道电子谱微分电导极大值确定超导体能隙的新方法

本文给出一种确定超导体能隙的新方法,由隧道理论计算出V_max/kT与Δ/kT的关系曲线,微分电导极大值电压V_max由隧道电子谱测定,由V_max/kT值及上述曲线很容易计算出能隙Δ值。这种方法很简单,而准确度几乎接近于曲线拟合法。 关键词：     

一个简单的隧道电子谱仪及超导隧道特性曲线上声子感应结构的观察

我们采用国产元件及仪器,装备了一台简单的隧道电子谱仪。利用它及Al-I-Pb隧道结测量出Pb的能隙△(1.7K)=(1.35±0.05)meV,在dV/dl及d~2V/dl~2曲线上观察到Pb的声子感应结构。由此定出Pb的横声子峰的能量为(4.15±0.30)meV,纵声子峰的能量为(8.05±0.20)meV.     

隧道电子谱的温度修正

由隧道电子谱通过强耦合超导能隙方程反演面求得有效声子谱的过程,要求电子态密度在T→OK条件下测量,否则会存在相当大的误差,所求得的有效声子谱也与真正的谱形偏离很远,本文给出一种校正这个温度效应的方法,可克服这个困难,采用此方法后,即使在T/T_c=0.22的条件下测量隧道谱,也可以得到正确的有效声子谱、λ与μ^*值。 关键词：     

钒膜的制备及其超导转变温度

在1×10~(-5)托普通高真空系统中用电子枪蒸发源在150℃以上的微晶玻璃和熔融石英底板上淀积得到了钒膜。俄歇谱分析表明钒膜含有较多量的氧和碳,在钒膜内部氧峰远远低于表面。对钒膜的超导转变温度作了测量,Tc的最高值为4.35K。超导转变温度Tc正比于薄膜电阻比(ρ_(300)—ρ_r)/ρ_(300)。本文强调指出:欲制取Tc高于4K的钒膜有两个重要的因素,即使蒸发淀积时真空度仅为1×10~(-5)托,一是保持较高的底板温度,二是在薄膜淀积前作多次预蒸发,以降低真空室中剩余气体氧的分压。