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应用组合技术, 通过离子束溅射法制备了Zn-Al-Ti合金薄膜材料芯片(其中wAl:wZn=55%:45%(w, 质量分数)), 表征了热处理后薄膜的耐腐蚀性能, 研究了Ti掺杂量对薄膜耐腐蚀性能的影响. 在Ar+5%(φ, 体积分数)H2混合气氛中, 经200 ℃扩散1 h, 再经370 ℃热处理2 h后可以得到高质量的合金薄膜. 通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对热处理后的典型样品进行相结构和形貌表征. 使用电化学方法测试样品的耐腐蚀性能. 结果表明, Ti适量掺杂样品的腐蚀速率明显下降, 其中Ti掺杂量为6.0%(w)的Zn-Al-Ti合金薄膜(94.0%(w) Zn-Al, 其中wAl:wZn=55%:45%)具有最优异的耐腐蚀性能, 其原因在于, Ti适量掺入后晶粒明显细化, 表面更为致密, 且钝化作用增强. 相似文献
2.
采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18 nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10 nm增加到160 nm,肖特基接触的电流-电压（I-V）曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ФB的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测
关键词：
碳化硅
肖特基接触
欧姆接触
组合材料方法 相似文献
3.
采用浓度为10%的氢氟酸（HF）刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响．经24?h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压（I-V）曲线．低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线．X射线衍射（XRD）和俄歇能谱（AES）深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物．XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C
关键词：
欧姆接触
SiC
富碳层
互扩散 相似文献
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