气相存在下过渡金属表面脱附动力学机理的研究

作者利用同位素跳跃技术来探讨气相压强促进过渡金属表面吸附分子脱附这一新现象的机理。获得了３５３Ｋ下饱和吸附Ｃ１６Ｏ的Ｒｅ（０００１）表面的超高真空等温脱附和不同气相压强的同位素Ｃ１８Ｏ交换的谱图。从相对覆盖度及其对数随时间的变化曲线可以看出,真空等温脱附过程为一级动力学过程。而在气相同位素存在下交换脱附过程可用一级加二级来近似,拟合的结果与实验符合很好。作者还发现了交换速率远大于真空等温脱附速率,而且随压强的增加而增加,这说明气相压强直接促进了表面吸附分子的脱附。并提出了协同吸附－脱附机理来解释这一新现象     

气相存在下CO在Pd上非线性脱附动力学的研究

利用同位素技术测定了预吸附在Pd表面上的CO在单一及混合同位素气氛下的脱附动力学．实验发现CO的脱附动力学是非线性的，在饱和表面上为一级加二级．在易位化学吸附模型和协同交换机理的基础上，对表面吸附物种的动态结构进行了深入分析讨论，并推导出了非线性脱附动力学的解析表达式．     

脉冲光电子枪中光电子束性能研究

利用新设计的脉冲光电子枪,研究了光电子束的能量分布,光电子数密度与激光强度的关系和光电子在电离区内的滞留时间。大部分电子的能量为光发射电子的剩余能量,但是由于电子的空间电荷效应,电子能量分布具有加宽现象·每个激光脉冲发射到电离区内的光电子数密度在109/cm3以上。     

脉冲光电子枪中光电子束性能研究

利用新设计的脉冲光电子枪,研究了光电子束的能量分布,光数密度与激光强度的关系和光电子在电离区内的滞留时间。大部分电子的能量为光发射电子的剩余能量,但量由于电子的空间电荷效应,电子能量分布具有加宽现象。每个激光脉冲发射到电离区内的光电子数密度在１０＾９／ｃｍ＾３以上。