氟化氢溶液无电沉积法制备W掺杂Ag树枝晶

应用无电沉积在氟化氢溶液制备W掺杂Ag树枝晶,样品由XPS,XRD,SEM和TEM表征,结果表明在Ag-W二元体系中,Ag的生长起主导作用,不受钨酸根离子而改变。提出W元素的掺杂方式,即W元素的掺杂是在银的沉积过程中通过化学吸附—钨酸根二聚体的氧原子与银原子的化学作用力而实现的。循环伏安法用于检测银氧间的化学键能的强弱。     

"大组讨论、小组实验"化工专业实验的新思路——以甲醇制汽油实验为例

甲醇制汽油工艺参数比较多、实验时固定床反应器中催化剂的装载和反应后的冷却过程时间比较长,在化工综合实验有限的学时内,一组学生不可能将所有的实验参数摸索清楚。针对这种情况,设计了学生“大组集体讨论+小组实验+结果汇总”的实验模式。在保证学生掌握实验基本操作的基础上,得到整个工艺的完整数据,通过对数据的处理和分析,得到一个综合性较强的实验报告。通过实践,该实验模式激发了学生的实验兴趣,提升了实验效率,取得了良好的教学效果。     

多孔硅上贵金属的浸入沉积

将多孔硅浸入含贵金属盐的HF溶液20 s, 制备了Ag, Au, Pd和Pt的沉积层. AFM形貌显示, 这4种贵金属都能在多孔硅上直接沉积, 但Pt的沉积量比其他3种少. SEM图及能谱(Energy dispersive X-ray spectrometer, EDS)分析显示, 沉积层优先生长在孔边上, 孔边上的沉积量约是孔底的4.6倍. 电化学方法分析显示, Pd和Pt, Ag和Au的沉积层分别具有类似的开路电位和交流阻抗特性, 其中Pd层的溶出电流比其他3种大1个数量级, 而阻抗比其他小1个数量级, 说明Pd层与硅基底的结合程度好, 结合界面导电性好.     

单晶硅表面贵金属晶粒层的制备

将预处理过的单晶硅p-Si(100)浸入含贵金属盐的HF溶液, 制备了Ag, Au, Pd和Pt的晶粒层. 用原子力显微镜(AFM)、开路电位(OCP)、循环伏安(CV)和交流阻抗(A. C. Impedance)方法对晶粒层性能进行了考察. 形貌显示, 在浸镀20 s后, Ag和Pd晶粒层基本上覆盖了硅基底, Ag颗粒致密, Pd颗粒之间仍有空隙且晶粒较Ag大. Au晶粒层部分覆盖了基底, 而Pt只有极少数的晶粒. 60 s后, Ag, Pd和Au晶粒层都完全覆盖了基底, 而Pt晶粒仍然较少, 但晶粒有所长大. 循环伏安显示, Pd的溶出峰电流比Ag, Au, Pt高1个数量级. 交流阻抗测量表明, Pd晶粒层阻抗最小. 结果表明, Ag, Pd和Au都能用浸入沉积的方法在单晶硅上短时间内制备出晶粒层, 而Pt不能, 选用哪种晶粒层, 需要根据后续工序和实际需要而定.     

化工原理实验教学模式的改革与探索

为提高大学生在化工实验中的实际操作能力和学习自主性,从教师教学理念的转变、教学方式的改进以及考核形式的改革等几方面出发,探讨了化工原理实验教学中不断提高学生自主学习能力的改革方法。     

数理统计在分析学生实验结果中的应用

在同样的实验条件下、用同一套设备做同一个化工实验 ,实验结果可能不同。本文论述了用数理统计对这些随机的实验结果进行分析的方法 ,通过找出理想的数据范围和期望值 ,来评定学生的实验结果 ,进而评估实验教学效果。