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1.
将Se固溶复合到链状小硫分子S2~4中,利用超微孔碳(UMC)的空间限域效应,在UMC中成功构建了链状SemSn(2≤m+n≤4)小分子,并用作锂硫(Li-S)电池正极材料。与链状S2~4小分子相比,改性后的SemSn(2≤m+n≤4)小分子电导率更高,锂化能更低,放电锂化过程更容易。所制得的UMC/SemSn(2≤m+n≤4)复合正极材料的放电过程为一步固相转化反应,从而有效抑制了活性物质的穿梭流失。与UMC/S2~4复合正极材料相比,UMC/SemSn(2≤m+n≤4)复合正极材料的电荷传递阻抗更小,放电比容量更高。因此,UMC/SemSn-40(2≤m+n≤4,wSeS2wUMC=4∶6)复合正极材料在0.1C时循环100次后,比容量依然保持有844 mAh·g-1;在0.5C下长时间循环500次时,每次循环容量损失仅约为0.07%,表现出优异的循环稳定性。  相似文献   
2.
将轻质、三维多孔且亲锂的泡沫铝用作锂(Li)金属负极骨架,通过简单的机械挤压方法,将泡沫铝与金属 Li复合,制得Al@Li复合负极。泡沫铝自身的高亲锂性,能够为Li金属成核提供丰富且均匀的活性位点,诱导Li在泡沫铝内部的快速成核和均匀电沉积。同时,泡沫铝的三维多孔结构,可以容纳Li金属负极在充放电过程中的巨大体积应变,降低局部电流密度,从而有效抑制Li枝晶的生长。因此,与纯Li金属负极相比,所获得的Al@Li复合负极在对称电池和LiFePO4||Al@Li半电池中,均表现出了更加优异的循环稳定性。  相似文献   
3.
通过原位反应法,利用富镍层状金属氧化物LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(LNCM811)正极材料表面残余的氢氧化锂和碳酸锂,与C8H20O4Ti和(NH4)H2PO4反应,在LNCM811表面原位生成快离子导体LiTi2(PO43(LTP)包覆层。这种原位反应的包覆方法有利于移除LNCM811表面有害的残留物氢氧化锂和碳酸锂。而且,获得的LTP均匀包覆层不仅可以有效地抑制LNCM811表面和电解液的直接接触及其副反应,还可以确保充放电循环过程中LNCM811正极材料的快速Li+传导。因此,在LTP包覆层的多重作用下,LTP包覆的LNCM811正极材料具有优异的循环稳定性和倍率性能:在0.2C时,首次放电比容量高达200.6 mAh·g-1,200圈后的可逆容量依然有155.7 mAh·g-1;在2C和5C的高电流密度下,200圈后的可逆容量仍然有126.4和111.9 mAh·g-1。  相似文献   
4.
将轻质、三维多孔且亲锂的泡沫铝用作锂(Li)金属负极骨架,通过简单的机械挤压方法,将泡沫铝与金属Li复合,制得Al@Li复合负极。泡沫铝自身的高亲锂性,能够为Li金属成核提供丰富且均匀的活性位点,诱导Li在泡沫铝内部的快速成核和均匀电沉积。同时,泡沫铝的三维多孔结构,可以容纳Li金属负极在充放电过程中的巨大体积应变,降低局部电流密度,从而有效抑制Li枝晶的生长。因此,与纯Li金属负极相比,所获得的Al@Li复合负极在对称电池和LiFePO4||Al@Li半电池中,均表现出了更加优异的循环稳定性。  相似文献   
5.
通过简单的原位生长法,将Cu3P纳米板阵列均匀负载在商业化的泡沫铜内部(NF?Cu3P@Cu),并用作锂金属负极的三维骨架载体材料。亲锂性的Cu3P纳米板阵列可以提供均匀且丰富的锂成核活性位点,诱导锂金属在NF?Cu3P@Cu内快速形核和均匀电沉积。同时,在电镀沉积锂时,Cu3P纳米板阵列会被锂化形成快离子导体Li3P,可以确保锂离子在复合负极中的快速均匀传输,从而有效抑制锂枝晶的形成。因此,获得的Li@NF?Cu3P@Cu复合负极材料在对称电池和全电池中,均表现出优异的循环稳定性。  相似文献   
6.
In this paper, two types of silicon(Si) particles ball-milled from n-type Si wafers, respectively, with resistivity values of 1 Ω·cm and 0.001 Ω·cm are deposited with silver(Ag). The Ag-deposited n-type 1-Ω·cm Si particles(nl-Ag) and Ag-deposited n-type 0.001-Ω·cm Si particles(n0.001-Ag) are separately used as an anode material to assemble coin cells,of which the electrochemical performances are investigated. For the matching of work function between n-type 1-Ω·cm Si(nl) and Ag, nl-Ag shows discharge specific capacity of up to 683 mAh·g~(-1) at a current density of 8.4 A·g~(-1), which is40% higher than that of n0.001-Ag. Furthermore, the resistivity of nl-Ag is lower than half that of n0.001-Ag. Due to the mismatch of work function between n-type 0.001-Ω·cm Si(n0.001) and Ag, the discharge specific capacity of n0.001-Ag is 250.2 mAh·g~(-1) lower than that of nl-Ag after 100 cycles.  相似文献   
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