n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结的制备及其电学性能研究

采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能。研究表明,InGaN薄膜为单晶结构,沿[0001]方向择优生长,薄膜表面光滑致密,In的原子含量为35%。霍尔(Hall)效应测试表明In_0.35Ga_0.65N薄膜呈n型半导体特性,具有高的载流子浓度和迁移率及低的电阻率。I-V曲线分析表明In_0.35Ga_0.65N/p-Si异质结具有良好的整流特性,在±4 V时的整流比为25,开路电压为1.32 V。In_0.35Ga_0.65N/p-Si异质结中存在热辅助载流子隧穿和复合隧穿两种电流传输机制。经拟合,得到异质结的反向饱和电流为1.05×10^-8 A,势垒高度为0.86 eV,理想因子为6.87。     

(111)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质影响的理论研究

采用第一性原理平面波贋势方法对(111)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明:(111)面在晶格发生100%~104%张应变时,带隙随着应变增加而增大;在晶格发生104%~112%压应变时,带隙随着张应变的增加而减小;88%~100%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变达到88%后转变为导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化,随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向高能方向偏移,施加张应变反射向低能方向偏移.施压应变吸收谱增大,施加张应变吸收谱变小.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.     

一类带退化椭圆算子的非局部方程解的存在性

利用临界点理论和分析技巧,证明一类带退化椭圆算子的非局部方程在适当的假设条件下非平凡解的存在性,所得结论丰富和发展了已有文献的相关结果.     

师生对话录:抽签合理吗?

"五·四"青年节快到了,大飞龙老师将调皮猴、精灵兔和心奇鼠三位同学找来,说有一张专场音乐会门票.因为本学期他们进步都很大,想让他们抽签,谁抽到就让谁去.调皮猴性子最急,没等老师说完,就叫了起来:"抽签,放回不放回呀?假如不放回,都     

（110）应变对立方相Ca2Si能带结构及光学性质的影响

采用第一性原理贋势平面波方法对(110)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca2P0.25Si0.75能带结构、光学性质的影响。计算结果表明：在92%~100%压应变范围内随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙呈线性逐渐减小,但始终为直接带隙;在100%~102%张应变范围内随着应变的增加,带隙呈逐渐增大,应变达到102%直接带隙最大Eg=0.54378eV;在102%~104%应变范围内随着应变的增加,带隙逐渐减小;当应变大于104%带隙变为间接带隙且带隙随着应变增大而减小。施加应变Ca2P0.25Si0.75的介电常数、折射率均增大;施加压应变吸收系数增加,反射率减小;施加张应变吸收系数减小,反射率增加。综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段。     

一类含退化椭圆算子的Kirchhoff型方程解的存在性

利用临界点理论中的山路引理,证明一类含退化椭圆算子的Kirchhoff型方程在适当的假设条件下解的存在性,所得结论丰富和发展了已有文献的相关结果.     

宜宾市翠屏区宋家乡土壤地球化学质量评价及意义

在表层土壤系统采样调查的基础上,进行了相关的灌溉水、饮用水以及土壤有机物和大气降尘等的测试,分析结果显示,宜宾市翠屏区宋家乡土壤存在重金属元素超标趋势,尤其是镉。采用地质累积指数法和污染程度分析对翠屏区宋家乡地区土壤质量进行了评价和分析,为该区土壤资源、环境评价和农业经济发展规划提供了实用地球化学信息。