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采用第一性原理平面波贋势方法对(111)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明:(111)面在晶格发生100%~104%张应变时,带隙随着应变增加而增大;在晶格发生104%~112%压应变时,带隙随着张应变的增加而减小;88%~100%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变达到88%后转变为导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化,随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向高能方向偏移,施加张应变反射向低能方向偏移.施压应变吸收谱增大,施加张应变吸收谱变小.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段. 相似文献
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