三正丁基膦参与的二苯联硒与吖啶及环氧化合物的开环反应

Aziridines and epoxides were reacted with diphenyl diselenide in the presence of a stoichiometric amount of （n-Bu）3P, respectively, giving β-amino- or β-hydroxy selenides in moderate to excellent yields under mild conditions. In the reactions the （n-Bu）3P might act as a reductant though it was a nucleophilic catalyst in other similar ring-opening reactions.     

硫酸氢季铵盐催化环氧化物和氮杂环丙烷的醇解反应

利用四丁基硫酸氢铵(TBAHS)和大孔树脂(D201型)支载的硫酸氢季铵盐(D201-HSO4), 分别催化环氧化合物或氮杂环丙烷与甲醇的开环反应, 以高产率得到β-甲氧基醇或β-甲氧基胺. 两种催化剂对该反应都很有效, 但大孔树脂支载的硫酸氢季铵盐(D201-HSO4)易于制备, 并可以重复使用.     

α-萘甲醇衍生物的选择性氧化及手性联萘二酸的合成

α-萘甲醇衍生物与负载型氧化剂A(KMnO4/CuSO4.5H2O)反应,得到相应的醛(酮),产率68%~98%。光学纯的(S)-联萘二醇经A氧化制得光学纯的(S)-联萘二醛;醛经MnO2再次氧化合成了(S)-联萘二酸二甲酯;酯水解得到光学纯的(S)-联萘二酸。     

衬底类型对于Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜性能的影响

利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-〈111〉Si、氧化硅(SiO2/Si)、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Hall实验、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征。结果表明,Ga-N共掺杂p型ZnMgO薄膜具有高度c轴择优取向的结构特征。生长在玻璃、(111)Si和氧化硅衬底上的ZnMgO薄膜显示p型导电性,而生长在石英衬底上的ZnMgO薄膜显示n型导电性。生长在氧化硅片衬底上的共掺杂ZnMgO薄膜的晶体质量和电学性能最优,载流子浓度为2.28×1017cm-3,电阻率为27.7Ω·cm。而且其表面形貌明显不同于生长在其他衬底上的薄膜。Ga2p和N1s的XPS谱表明Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜中存在Ga—N键,有利于N的掺入,从而易于实现p型生长。