白光LED用新型Ce,Pr掺杂的YAG单晶荧光材料的光谱性能研究

为了改善白光LED用荧光材料效率低、均匀性差、光衰大、寿命短及物化性能差等不足,本文采用单晶荧光材料取代荧光粉来制备白光LED,并对白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究.采用提拉法生长了白光LED用Ce∶YAG及Pr,Ce∶YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱对晶体材料的光谱特性进行表征.研究表明,Ce∶YAG单晶荧光材料可以被发射波长460 nm左右的蓝光芯片有效激发,产生一个范围为480~650 nm宽峰发射.通过Pr3+,Ce3+离子共掺杂可以有效补偿Ce3+离子单掺杂YAG荧光材料发光中的红色发光成分.     

2.45GHz下常用有机试剂复介电常数的测量与研究

1986年加拿大的R．Gedye和R．J．Giguere等发现了微波可以显著加快有机合成，他们发现用微波辐射可使反应速率和产率有不同程度的提高。由于微波作用机理的特殊性，微波化学对很多化学领域带来了冲击。但是，微波与化学反应体系之间相互作用的一些重大问题还未得到解决，如微波加热过程中化学反应系统的非线性反射、非均匀加热等。解决这类问题，首先必须了解化学反应过程中混合物的电学性质与磁学性质，而物质的宏观电学和磁学性质都用其介电常数和磁导率来描述。对于大部分是非磁性材料的有机试剂，微波与反应体系相互作用的特性集中体现在体系的等效复介电常数上。了解各种常用试剂的复介电常数，可以进一步了解各种化学试剂对微波的吸收和反射的情况。而很多试剂的复介电常数无法从现有文献中得到。本文利用谐振腔微扰法测定了在2．45GHz室温下各类常用有机试剂的复介电常数，结果显示：醇类试剂复介电常数实部与虚部都较大；酮类试剂复介电常数实部相对较大，而虚部较小；酸类试剂复介电常数实部和虚部都较小；烷烃和苯类试剂实部，虚部更小。同时，随着碳链增加，所有试剂的复介电常数的实部与虚部均有下降趋势。这些测试和分析结果将为微波辅助有机合成提供了有益参考。     

不同条件对硫酸钙结晶影响的实验研究

近年来由于微波化学的快速发展使人们认识到微波作为一种手段对化学反应的过程有着深刻的影响，在材料领域更是得到了日益广泛的应用，因此把微波应用于结晶过程也成为人们关注的热点。早在1966年磁场就被应用于晶体的生长。近年来，已有很多文献报道电场、磁场对晶体生长的影响。     

Measurement and Analysis of Composition and Depth Profile of H in Amorphous Si1-xCx:H Films

Composition in amorphous Si1-xCx：H heteroepitaxial thin films on Si （100） by plasma enhanced chemical vapour deposition （PECVD） is analysed. The unknown x （0.45-3.57） and the depth profile of hydrogen in the thin films are characterized by Rutherford backscattering spectrum （RBS）, resonance-nuclear reaction analysis （R-NRA） and elastic recoil detection （ERD）, respectively. In addition, the depth profile of hydrogen in the unannealed thin films is compared to that of the annealed thin films with rapid thermal annealing （RTA） or laser spike annealing （LSA） in nitrogen atmosphere. The results indicate that the stoichiometric amorphous SiC can be produced by PECVD when the ratio of CH4/SiH4 is approximately equal to 25. The content of hydrogen decreases suddenly from 35% to 1% after 1150℃ annealing. RTA can reduce hydrogen in SiC films effectively than LSA.     

Charge Transport and Magnetotransport Properties of Polyimide Irradiated by 80keV Co Ions

Charge transport properties of polyimide films implanted with 80 keV Co ions at two different fluences （series I： 1.25 × 10^17 ions/cm^2, series Ⅱ： 1.75 × 10^17 ions/cm^2） are studied in detail. For series I, the temperature dependence of surface resistivity fits Mott＇s equation very well. It is on the insulating side of the insulator-metal transition （IMT）. However, for series Ⅱ, the temperature dependence of surface resistivity is not in agreement with Mott＇s equation. It is on the metallic side of lMT. The magnetotransport properties of these two series are also studied. No significant magnetoresistive effect is observed for series I at both 5 K and 300 K. For series Ⅱ, an obvious magnetoresistive effect is observed at 5 K, while there is no magnetoresistive effect at 300 K. Rutherford backscattering spectrometry （RBS） is applied to confirm the actual fluence for these two series.     

铈、钐掺杂YAG微晶玻璃制备及光谱性能

以Y2O3-A l2O3-S iO2-L i2O-K2O-Na2O玻璃作为Ce,Sm掺杂基质玻璃,制备出白光LED用YAG:Ce和YAG:Ce,Sm微晶玻璃。利用X射线衍射、荧光光度计对微晶玻璃的晶相、光谱性能及荧光寿命进行了研究。结果表明:掺杂铈或铈钐共掺杂基质玻璃在1400℃热处理得到的几乎是纯YAG晶相;并且YAG:Ce和YAG:Ce,Sm微晶玻璃在454 nm有特征激发峰,说明它们能被蓝光芯片有效激发;在蓝光芯片激发下,YAG:Ce微晶玻璃在480~700 nm产生有效发射,发射光谱中心波长531 nm,同时铈钐共掺微晶玻璃在566,602,615,650 nm都有窄的发射峰,可以提高LED s的显色性、降低色温;此外,浓度掺杂实验表明钐的较好掺杂浓度范围是Ce:Sm为10∶2~10∶10;YAG:Ce和YAG:Ce,Sm微晶玻璃的荧光衰减曲线表明,YAG:Ce微晶玻璃的荧光寿命要长于YAG:Ce,Sm微晶玻璃。     

白光LED用新型Ce,Pr掺杂的YAG单晶荧光材料的光谱性能研究

为了改善白光LED用荧光材料效率低、均匀性差、光衰大、寿命短及物化性能差等不足,本文采用单晶荧光材料取代荧光粉来制备白光LED,并对白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究.采用提拉法生长了白光LED用Ce:YAG及Pr,Ce:YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱对晶体材料的光谱特性进行表征....     

血红蛋白在Span 80/PEG 400/H2O囊泡体系中的结构性质

通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、动态光散射、圆二色谱、负染-透射电镜(NS-TEM)和冷冻蚀刻-透射电镜(FE-TEM)等实验方法研究了血红蛋白(Hb)与Span 80/PEG 400/H₂O囊泡间的相互作用及其结构特性. 结果表明: Hb易于吸附在囊泡表面, 使得囊泡的表观半径稍有增大; Hb的肽链在囊泡表面能够逐渐伸开, 特征荧光峰强度显著增强, 部分氨基酸残基进一步暴露, α-螺旋结构含量减少, β-折叠和β-转角结构含量增加, 无规卷曲结构含量基本不变. 囊泡体系中Hb的稳定性与囊泡的稳定性有关.     

Ce,Pr掺杂的YAG微晶玻璃的制备及光谱性能

以Y2O3-Al2O3-SiO2-Li2O-K2O-Na2O玻璃作为Ce,Pr掺杂基质玻璃,制备出白光LED用Ce:YAG和Ce,Pr:YAG微晶玻璃.使用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、荧光光度计对微晶玻璃的晶相、微观形貌、光谱性能及荧光寿命进行了研究.结果表明:掺杂铈或铈镨共掺杂的基质玻璃在1400℃热处理得到...