高聚物热释电流的极化温度扫描法

本工作将热释蠕变(TSCr)的技巧应用于TSC,并作了一些简化,把聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)用通常TSC法得到宽TSC谱解析成许多单元松弛谱。由于利用改变极化温度区间的办法,将连续松弛谱解析为许多单元松弛谱,因此称为极化温度扫描法。     

序列结构对苯乙烯/丁二烯共聚物热释电流峰的影响

本文研究聚合方式对苯乙烯/丁二烯共聚物热释电流峰(TSC)的影响。共聚物试样有三个电流峰(β、α和ρ峰)。实验结果表明:聚合方式对β峰(丁二烯局部运动)基本没有影响,但对α峰(丁二烯相的T_g转变)的位置有明显的影响,而且两步法试样有两个α峰;嵌段共聚物试样在高温还有一肩部(苯乙烯相的T_g转变),无规共聚试样没有肩部。由共聚物的序列结构能圆满解释TSC结果,而序列结构决定于聚合方式。因此,本工作将苯乙烯/丁二烯共聚物的序列结构与性能联系起来。     

新型N-芳基哌嗪取代苯并呋喃衍生物的合成

以5-二甲氨基水杨醛和2-溴-4'-氟苯乙酮为原料,经缩合和取代反应制得中间体6-二乙氨基-2-[4'-(N-哌嗪基)苯甲酰基]苯并呋喃(2);2与卤代烃反应合成了6个新型的N-芳基哌嗪取代苯并呋喃衍生物(4a~4f),收率76%~93%,其结构经1H NMR,13C NMR和HR-MS(ESI-TOF)表征。     

High-performance germanium n~+/p junction by nickel-induced dopant activation of implanted phosphorus at low temperature

High-performance Ge n~+/p junctions were fabricated at a low formation temperature from 325℃ to 400℃ with a metal(nickel)-induced dopant activation technique. The obtained Ni Ge electroded Ge n+/p junction has a rectification ratio of 5.6×10~4 and a forward current of 387 A/cm~2at -1 V bias. The Ni-based metal-induced dopant activation technique is expected to meet the requirement of the shallow junction of Ge MOSFET.