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1.
本文合成了配合物[Cu(pcba)2·(phen)(H2O)] (pcba =对氯苯甲酸,phen = 1,10-邻菲罗啉),该配合物属于三斜晶系,P1空间群,晶胞参数为a=0.790 98(2) nm,b=1.072 40(4) nm,c=1.487 19(6) nm,α=100.613(3)°,β=95.239(3)°,γ=108.334(3)°,Z=2,Dc=1.638 g·cm-3,F(000)=582,最终结构残差因子R1=0.035 9,wR2=0.089 1。采用紫外及荧光研究了配合物和人血清蛋白(HSA)的相互作用方式。结果表明,配合物静态猝灭HSA荧光,可求得配合物与HSA的猝灭常数Ksv=2.35×105 L·mol-1,猝灭速率常数Kq=2.35×1013 L·mol-1·s-1,结合常数为Ka=2.14×1013 L·mol-1,结合位点n=2.37。同时,研究了配合物对胃癌细胞A549、宫颈癌细胞Hela和肝癌细胞HepG2的抗增殖能力。 相似文献
2.
JPC – Journal of Planar Chromatography – Modern TLC - A new high-performance thin-layer chromatographic (HPTLC) method has been developed for the simultaneous estimation of... 相似文献
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4.
Synthesis and Photophysical Properties of a Sc3N@C80‐Corrole Electron Donor–Acceptor Conjugate 下载免费PDF全文
Bin Liu Hongyun Fang Prof. Xiaofang Li Wenting Cai Lipiao Bao Marc Rudolf Fabian Plass Prof. Louzhen Fan Prof. Xing Lu Prof. Dirk M. Guldi 《Chemistry (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》2015,21(2):746-752
Embedding endohdedral metallofullerenes (EMFs) into electron donor–acceptor systems is still a challenging task owing to their limited quantities and their still largely unexplored chemical properties. In this study, we have performed a 1,3‐dipolar cycloaddition reaction of a corrole‐based precursor with Sc3N@C80 to regioselectively form a [5,6]‐adduct ( 1 ). The successful attachment of the corrole moiety was confirmed by mass spectrometry. In the electronic ground state, absorption spectra suggest sizeable electronic communications between the electron acceptor and the electron donor. Moreover, the addition pattern occurring at a [5,6]‐bond junction is firmly proven by NMR spectroscopy and electrochemical investigations performed with 1 . In the electronically excited state, which is probed in photophysical assays with 1 , a fast electron‐transfer yields the radical ion pair state consisting of the one‐electron‐reduced Sc3N@C80 and of the one‐electron‐oxidized corrole upon its exclusive photoexcitation. As such, our results shed new light on the practical work utilizing EMFs as building blocks in photovoltaics. 相似文献
5.
碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×1010 Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10-3 cm2/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。 相似文献
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7.
We demonstrate a harmonically pumped femtosecond optical parametric oscillator(OPO)laser using a frequency-doubled mode-locked Yb:KGW laser at a repetition rate of 75.5 MHz as the pump laser.Based on a bismuth borate nonlinear crystal,repetition rates up to 1.13 GHz are realized,which is 15 times that of the pump laser.The signal wavelength is tunable from 700 nm to 887 nm.The maximum power of the signal is 207 m W at the central wavelength of 750 nm and the shortest pulse duration is 117 fs at 780 nm.The beam quality(M^2 factor)in the horizontal and vertical directions of the output beam are 1.077 and 1.141,respectively. 相似文献
8.
以典型的双稳态系统——屈曲梁结构为例,基于等效模型,结合解析、数值和实验手段,研究了双稳态结构中的1/2次谐波共振特性、演化过程、参数调节规律及其对隔振特性的影响.研究发现,当非线性刚度系数或激励幅值增加到一定程度时,系统会在一定带宽下产生显著的1/2次谐波共振;随着激励幅值增加,阻尼系统的1/2次谐波遵循“产生-增强-衰退-消失”的过程,该过程对峰值频率和峰值传递率有重要影响;适当提高非线性强度能有效改善双稳态结构隔振特性.针对双稳态屈曲梁结构开展的实验验证了1/2次谐波特性和隔振特性变化规律. 相似文献
9.
10.
Comparative study on transport properties of N-, P-, and As-doped SiC nanowires: Calculated based on first principles 下载免费PDF全文
According to the one-dimensional quantum state distribution, carrier scattering, and fixed range hopping model, the structural stability and electron transport properties of N-, P-, and As-doped SiC nanowires(N-SiCNWs, P-SiCNWs, and As-SiCNWs) are simulated by using the first principles calculations. The results show that the lattice structure of NSiCNWs is the most stable in the lattice structures of the above three kinds of doped SiCNWs. At room temperature,for unpassivated SiCNWs, the doping effect of P and As are better than that of N. After passivation, the conductivities of all doped SiCNWs increase by approximately two orders of magnitude. The N-SiCNW has the lowest conductivity. In addition, the N-, P-, As-doped SiCNWs before and after passivation have the same conductivity–temperature characteristics,that is, above room temperature, the conductivity values of the doped SiCNWs all increase with temperature increasing.These results contribute to the electronic application of nanodevices. 相似文献