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电子反常供需型Diels-Alder反应(inverse electron demabd Diels-Alder reaction,IDA)因其在天然生物碱及类似物合成中的应用,在近20年来已经逐渐引起关注[1].含氮芳杂环体系1,2,4-三嗪由于其特有的缺电子特征,作为双烯体非常适于进行这类反应[2].本文利用IDA反应从3-吡啶基-5,6-二取代-1,2,4-三嗪出发,设计出一条简捷、低成本的合成路线,成功地合成出不对称取代的2,3′-联吡啶和2,4′-联吡啶.这一类化合物已被应用于药物中间体或有机配体. 相似文献
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沙利度胺(1)最早是由德国的一家制药公司在20世纪50年代上市的一种用于镇静和孕妇止吐的药物,当时被认为是一个毒性很小的药物,但是很快就发现这个药物有非常强的致畸性,于是在1962年这个药物撤出了市场。后期研究结果表明,沙利度胺的致畸性是由其5-异构体导致的, 相似文献
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综合2,5-二氨苯基嘧啶(PRM)的刚性结构特征和配位化学特征以及二苯醚二胺(ODA)的柔性结构特征,制备出一系列性能可控的含嘧啶聚酰亚胺.含嘧啶聚酰亚胺的玻璃化转变温度、热稳定性、拉伸强度和模量等,均随聚酰亚胺中PRM比例的升高而增加.但热膨胀系数却随PRM比例的增加而降低,当PRM和ODA的比例为1∶1时,热膨胀系数为17×10-6K-1,与铜箔的热膨胀系数一致,可与铜箔形成尺寸稳定的无胶挠性覆铜板;同时,这一比例的含嘧啶聚酰亚胺与铜箔的粘结强度也达到最高(17.3 N·cm-1).这种含嘧啶聚酰亚胺的性能可以满足无胶挠性印制电路对基底膜材料的尺寸稳定性和粘结性能的要求. 相似文献
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利用零维纳米粒子与二维纳米片在聚合物基体中的协同分散,构筑纳米粒子/二维纳米片/聚酰亚胺(PI)三元复合体系,系统研究了零维-二维组合纳米填料对复合材料介电常数、击穿强度、储能密度以及机械性能的影响.结果表明:采用氟碳表面活性剂插层修饰可以将水滑石剥离为水滑石二维纳米片(HT),在此纳米片溶液中分散钛酸钡纳米粒子(BT),并进行聚酰亚胺的原位聚合.在聚合物溶液形成薄膜的过程中,二维纳米片和纳米粒子的协同作用抑制了各自的团聚,改善了2种纳米填料在聚合物薄膜中的分散状况.在所制备的PI/BT/HT复合薄膜中,HT有利于改善BT在PI基体中的均匀分散,提高了薄膜的击穿强度,进而提升了复合薄膜的储能密度.与仅加入20%BT相比,在聚酰亚胺中同时加入2种填料20%BT和1%HT时,击穿强度达到354.4 kV/mm,储能密度达到2.58 J/cm3,分别提高了12.4%和14.6%.因此,在纳米粒子/聚合物复合材料中增加少量二维纳米片就可以显著改善其性能,这种方法有望在更多纳米复合功能材料领域得到应用. 相似文献
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采用逐层涂布、 分层控制固化程度的方法, 利用聚酰胺酸(PAA, 聚酰亚胺前体)溶液和含有氧化石墨烯(GO)的PAA溶液制备了一系列由高绝缘性PI层与GO@PI介电层交替组合而成的界面清晰且紧密衔接的多层复合薄膜. 通过调控介电层中GO含量及分层结构, 使多层复合薄膜兼具高介电常数和高击穿强度特征. 结果表明, 三层复合薄膜PI/1.0GO@PI/PI的击穿强度为261.5 kV/mm, 储能密度达到1.27 J/cm3, 与相同介电层厚度的单层薄膜相比, 击穿强度和储能密度分别提高了97%和144%, 同时, 其介电损耗也保持在较低水平(tanδ=0.0079). 绝缘层和高介电常数层的协同作用提升了氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的储能密度. 这种简单的多层结构设计有利于氧化石墨烯/聚合物复合材料在介质储能领域的应用. 相似文献
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