甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级

发展了恒温电容瞬态数据处理方法，称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICT TS方法测量分析了C₇₀固体/p GaAs异质结的深能级，结果发现在C₇₀固体中存在两个很深的空穴陷阱，H C₁和H₂，它们的能级位置分别为Ev⁺⁰856eV和 Ev+1037eV. 关键词： 70')" href="#">C₇₀ 深能级 恒温电容瞬态     

Spin and pseudospin symmetries of the Dirac equation with shifted Hulthén potential using supersymmetric quantum mechanics

In this paper, we obtain approximate analytical solutions of the Dirac equation for the shifted Hulthén potential within the framework of spin and pseudospin symmetry limits for arbitrary spin–orbit quantum number κ using the supersymmetry quantum mechanics. The energy eigenvalues and the corresponding Dirac wave functions are obtained in closed forms.