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1.
研究了电场对高分子的发光及激子的影响.1.在强电场中,激子会解离成正负极化子对,这可定量解释最近观察到的实验:(1)电场超过1.5MV/cm时,PPP衍生物的发光强度很快减弱;(2)电场对4.5MV/cm时,发光强度减为24%;(3)电场使发光光谱向蓝色移动.2.高分子中π电子具有“离域性”,易于极化.算得高分子中激子具有很大的极化率,比氢原子大三个数量级以上.
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2.
用高斯型分布的独立无规参数模拟起因于热涨落等原因的格点原子无序起伏,并用对大量彼此独立的原子无序起伏方式采样取平均的方法,研究了原子无序起伏对光激发和电子转移C
60的键长和格点电子密度分布的影响.得到了C
60中键长和格点电子密度相对于原子无序起伏强度、额外电荷数目和种类的分布曲线.发现:1)在C
60的长、短键之差等于0.0044nm,格点原子无序起伏强度为0—0.01nm时,C
60中的二聚化结构仍然存在.2)在格点原子
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