SiOx纳米管的制备及其发光特性

以液态金属镓为媒介,利用热蒸发法合成大量非晶SiOx纳米管,这些纳米管管径均匀分布,平均约80 nm,长度大于10μm,且管内外径比例较小．分析发现,在实验过程中,熔入金属镓液滴中的硅元素和氧元素结合并从液滴的表面饱和析出,形成以镓为中心的非晶SiOx纳米管状结构．在室温中,利用260 nm的激发光源激发SiOx纳米管,发现在蓝光波段附近发出强而稳定的PL谱线,这可能与样品中的氧缺陷和空位有关．     

SiOx纳米管的制备及其发光特性

Amorphous SiOx nanotubes with homogeneous diameters were fabricated in large-scale on silicon substrate by thermal evaporation method, with liquid gallium as medium. The average diameter of tubes is about 80 nm and the length is more than 10 1m, with small ratio between the inner and outer diameter of the tube. The silicon element in the substrate and the residual oxygen element in reaction chamber were first dissolved into liquid Ga. Then the SiOx precipitated from the surface of gallium droplet, forming the nanotube structure with Ga droplet being the center. The room temperature photoluminescence measurements under excitation at 260 nm show that the SiOx nanotubes has a strong blue emission at 453 nm with two shoulders at 410 and 480 nm respectively, which may be related to oxygen defects. The preparation method improved the traditional complicated method and also provided a new way to fabricate SiOx nanotubes in large quantity.     

Fe48Co52 Alloy Nanowire Arrays: Effects of Magnetic Field Annealing

详细研究了磁场退火对于具有不同线间距(30～60 nm)和不同线直径(22～46 nm)的Fe48Co52合金纳米线阵列性能的影响．研究表明,退火过程中沿纳米线方向施加3kOe的磁场对于阵列的最佳退火温度和晶体结构以及线直径较小或线间距较大阵列的磁性能均无明显影响．但是对于具有较大线直径或较小线间距的阵列,这种磁场退火处理限制了其易磁化方向的转动并明显提高了其矫顽力与矩形度．认为不同阵列内部有效各向异性场强度之间所存在的差异是导致磁场退火后阵列磁性能出现不同变化的主要原因．     

ZnO纳米带外延树枝状锯齿形缺口结构的制备及其发光特性

应用气固生长方式在没有催化剂的情况下合成出一种新奇的ZnO纳米结构．通过透射电子显微镜分析，发现这种ZnO纳米带外延晶枝直径约20 nm，在[0001]方向有着良好的外延生长取向．提出了一个模型来解释这种树枝状锯齿结构的生长．室温下光致发光测量表明这种ZnO纳米结构在382、491 nm处有一个紫外发光峰和绿光发光峰．     

钒,铬对快速凝固Al-Ti-Fe合金的组织结构与显微硬度的影响

利用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)研究了V, CrAl-Ti-Fe合金组织及显微硬度的影响. 结果表明 Al-Ti-Fe-(V,Cr)合金急冷态组织均为过饱和Al基固溶体; 300 ℃×10 h处理后, Al-2.5Ti-2.5Fe-2.5Cr合金析出Al3Ti和Al13Cr2相; 400 ℃×10 h处理后, Al-Ti-Fe-(V,Cr)合金均析出Al13Fe4相.随退火温度的升高, 快速凝固Al-2.5Ti-2.5Fe-2.5V合金的显微硬度略有下降, 快速凝固Al-2.5Ti-2.5Fe-2.5Cr合金的显微硬度略有上升,表明V, Cr元素的加入有利于快凝Al-2.5Ti-2.5Fe合金显微硬度的增加.     

Growth Mechanism and Characterization of Single-crystalline Ga-doped SnO2 Nanowires and Self-organized SnO2/Ga2O3 Heterogeneous Microcomb Structures

Ga掺SnO2单晶纳米线和SnO2/Ga2O3自组织异质微米梳是通过简单的热蒸发沉淀法一步制得的,并通过X射线粉末衍射(XRD)、场激发扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能量散射谱仪(EDS)、选区电子衍射谱(SAED)进行表征．从FE-SEM的图片上可以看出生成的产物具有纳米线和一种新的微米梳状形貌．XRD、SAED和EDS显示他们是单晶四角形的SnO2．产物的主干呈带状,纳米带阵列均匀的分布在主干的一侧或两侧．大量的Ga2O3纳米颗粒沉积在微米梳的表面．主干纳米带主要沿着[100]方向生长, 自组织的纳米带分支则在主干的(100)面上沿着[110]或者[110]方向生长．由于Ga的大量掺杂,光致发光谱的衍射峰发生红移并严重变宽．针对SnO2:Ga2O3异质微米梳的生长过程进行了解释,并讨论了实验条件对形貌的影响．