一种用于电光开关的高速、高压电脉冲的产生

介绍了一种用于电光开关驱动源的高压超快电脉冲产生技术；电路采用级联的雪崩晶体管串和微波传输线结构，输出阻抗50Ω；在50Ω负载情况下，获得脉冲下降时间为1ns、幅度达到5kV、峰值电压为6.4 kV、幅度和半宽度稳定性优于2％、触发晃动为±15ps、触发延时为30 ns，脉冲峰值电流为128 A的高压高速大电流脉冲.     

Self-assembly of Carboxyl Functionalized Polystyrene Nanospheres into Close-packed Monolayers via Chemical Adsorption

The polyacrylic acid functionalized polystyrene nanospheres were synthesized and self-assembled into irregular, densely packed monolayers in non-aqueous media. The polymer nanoparticles were chemically adhered to substrates. The morphologies of the resulting films were investigated. The impact of the volume fraction of alcohol in the mixed solvents on the particle adsorption and fabrication of nanosphere assembled films was examined.     

一类二层凸规划的对偶二层规划

本文讨论上层目标函数以下层子系统目标函数的最优值作为反馈的一类二层凸规划的对偶规划问题 ,在构成函数满足凸连续可微等条件的假设下 ,建立了二层凸规划的 Lagrange对偶二层规划 ,并证明了基本对偶定理 .     

大视场短焦距镜头CCD摄像系统的畸变校正

从光学测量角度出发,结合计算机视觉中的摄像机标定方法,解决了大视场短焦距镜头CCD摄像系统的畸变校正问题。与摄像机标定不同,畸变校正中仅标定内部参数,外部参数作为已知条件。采用线性畸变模型,由最小二乘法解线性方程组得到摄像系统畸变模型的畸变系数。介绍了数字图像中像素间距和光学中心的标定方法。通过比较由标定参数得到的畸变图像和摄像机采集的畸变图像对实验标定精度进行评定,实验结果表明边缘视场(112°)的标定精度达到了0 75%。     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

用人工神经网络处理谷物成分分析

本文用人工神经网络处理谷物的付立叶变换近红外漫反射光谱,对谷物中含量在10~(-1)～10~(-3)的蛋白质、脂肪和6种人体必需氨基酸定量分析数据进行了解析,分析结果与经典化学方法没有系统偏差,且优于逐步回归分析法的结果。     

四氢咪啶[2,1—a]并—2,3—二苯基—1,4—二氮杂—3—环己烯…

对由二乙烯三胺与联苯甲酰合成的标题化合物进行了ＭＳ、ＩＲ、ＵＶ、ＮＭＲ谱的表征及Ｘ射线单晶衍射结构分析。该化合物Ｍｒ＝２７７．３９，晶体属Ｐ２１／ｎ空间群，晶胞参数ａ＝０．９４４２（２）ｎｍ，ｂ＝１．４３４４（４）ｎｍ，ｃ＝１．１８２４（３）ｎｍ，β＝１１２．９２（２）°，Ｚ＝４，Ｄｃ＝１．２５ｇ·ｃｍ＾－３。晶体结构由直接法解出，１８２７个可观察衍射参与最小二乘法修正，最终偏差因子Ｒ＝０．０５０