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101.
在G-度量空间的框架下,利用自映象对的非相容性和(Ag)型R-弱交换性条件,在既不要求空间的完备性,也不要求映象连续的条件下,建立了一类?-压缩条件下的4个映象的几个新的公共不动点定理,此定理在很大程度上改进和发展了已有文献的相关结果. 相似文献
102.
103.
104.
105.
通过制作亲碳性铟锡氧化物(ITO)/Ti复合电极,改善移植型碳纳米管(CNT)冷阴极的导电电极与CNT膜层之间附着性能,从而消除CNT与电极间的界面势垒和非欧姆接触对CNT阴极场发射均匀性和稳定性的影响.采用磁控溅射技术和丝网印刷工艺制作了ITO/Ti基CNT阴极.用X射线衍射仪和场致发射扫描电子显微镜表征CNT阴极结构,结果显示热处理后的ITO/Ti基CNT阴极中可能有TiC相生成,从而使得导电电极与CNT形成有中间物的强作用体系.该体系降低甚至消除电极与CNT之间的界面势垒,增加了CNT与电极间形成欧姆接触的概率.用四探针技术分析电阻率,结果表明ITO/Ti复合电极具有电阻并联效果,CNT阴极导电性能提高.场致发射特性测试表明ITO/Ti基CNT阴极的场致发射电流达到384μA/cm2,较普通ITO基CNT阴极的场致发射电流有显著提高,能够激发测试阳极发出均匀、稳定的高亮度荧光.制作ITO/Ti复合电极是实现场致发射稳定、均匀的低功耗CNT阴极的有效途径. 相似文献
106.
<正>We theoretically analyze and experimentally demonstrate a method of generating equal-amplitude optical comb exploiting multi-frequency phase modulation.The theoretical analysis shows that 4n-1 equal-amplitude spectral lines can be obtained when the modulation signal comprises n frequency components including the fundamental frequency and the odd harmonic frequencies,and 2n+1 equal-amplitude spectral lines can be obtained when the modulation signal comprises n frequency components including the fundamental frequency and the even harmonic frequencies.Then,we numerically simulate the spectra of 5,7,9,and 11 equal-amplitude spectral lines,respectively,which are also obtained in experiments with frequency separation of 30 MHz and flatness of better than 0.3 dB. 相似文献
107.
108.
采用双辉等离子表面冶金技术,在金刚石自支撑膜表面制备了W金属层.借助扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X-射线衍射仪(XRD)等分别对金属化后的金刚石膜的微观形貌、元素分布及物相组成进行了表征与分析;并通过测试Ag-Cu钎焊的金刚石膜-硬质合金刀片样品的剪切强度,评价金属层与金刚石膜的结合强度.实验结果表明:所制备的W金属层连续、致密,由大量纳米尺度的颗粒状团聚物构成;在金属层与金刚石界面一定深度区域内,存在W和C元素的相互扩散,并且反应生成了WC、W2C等金属碳化物颗粒,表明金属层与金刚石膜之间已形成了牢固的化学键合. 相似文献
109.
以SiO2纳米颗粒为核,以透明质酸(HA)和聚异丙基丙烯酰胺(PNIPAm)的杂化凝胶(HA/PNIPAm)为壳制备了一系列无机-有机杂化核壳结构单分散微凝胶.该微凝胶具有很好的温度敏感性,其最低临界转变温度(LCST)在34 ℃附近;该微凝胶具有负触变性,且温度高于LCST时负触变性更明显.用动态光散射(DLS)测定了微凝胶颗粒的水动力学粒径随温度的变化关系,实验数据可以用我们早前建立的硬核高分子凝胶分子热力学模型进行关联计算,结果表明只需较少的模型参数就可较好地描述温度响应的核壳结构高分子凝胶的溶胀行为. 相似文献
110.
Modeling of trap-assisted tunneling on performance of charge trapping memory with consideration of trap position and energy level 下载免费PDF全文
In this work, the trap-assisted tunneling(TAT) mechanism is modeled as a two-step physical process for charge trapping memory(CTM). The influence of the TAT mechanism on CTM performance is investigated in consideration of various trap positions and energy levels. For the simulated CTM structure, simulation results indicate that the positions of oxide traps related to the maximum TAT current contribution shift towards the substrate interface and charge storage layer interface during time evolutions in programming and retention operations, respectively. Lower programming voltage and retention operations under higher temperature are found to be more sensitive to tunneling oxide degradation. 相似文献