光压效应及其应用

 一、光压效应光的本质是电磁波,电磁波不仅具有能量,而且具有动量。设光子速度为c,频率为v,波长为λ,则光子的能量和动量分别为:E=hv.     

利用费曼路径积分理论分析多光子干涉

将费曼路径积分理论引入量子力学教学,用来分析光子干涉现象.对非简并的两光子和三光子干涉的关联函数进行了推导,并对干涉结果进行了模拟.模拟结果显示,非简并的多光子干涉是多光子聚束和量子拍效应叠加的结果.     

六方相InGaN外延膜的显微Raman散射

用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_1-xN薄膜样品进行了研究，观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP⁺)，讨论了In_xGa_1-xN的A₁(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时，对Raman谱中E₂和A₁(TO)声子模进行了分析和讨论.在In_xGa_1-xN样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号. 关键词： Raman散射 X射线衍射 相分离 应力 LO声子-等离子耦合     

笛管式配气机构进气量的分析研究

阐述了笛管式内燃机配气机构的结构原理,并创建有限元模型,采用CFdesign软件仿真的方法对比传统配气机构和笛管式配气机构进气机理,分析进气过程中两者气缸体积流量的变化规律.结果表明:笛管式配气机构在提高较小转角或较小开度时,能使进排气流畅,进气更为充分,从而大大提高了进气量.     

MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射

通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相CaN和掺Mg的P型GaN薄膜进行了研究。在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm^-1附近的两个峰。640cm^-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm^-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模。掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果。在掺Mg的样品中还观察到276,376cm^-1几个局域模并给予了解释。同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子-声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响。     

四方相BaTiO_3及BaTiO_3：Ce的拉曼散射特性研究

四方相ＢａＴｉＯ＿３及ＢａＴｉＯ＿３：Ｃｅ的拉曼散射特性研究王瑞敏，赵铁男，刘竟青，朱恪，朱镛，吴星，林筠（中国科学院物理研究所北京１０００８０）（陕西师范大学物理系西安７１００６２）（中国地质大学北京１０００８１）本文报道了在室温下ＢａＴｉＯ＿３及...     

电化学方法测定氢在TiNi貯氢合金中的扩散系数

在20±0.3 ℃时, 用电化学方法测得氢在TiNi贮氢合金中的扩散系数为(6.45±0.78)×10~(-7)cm~2sec~(-1), 氢在这种合金中扩散过程的活化能为16.59 kJ mol~(-1)。TiNi合金电极在NaOH溶液中, 经过多次电化学渗氢以后, 在合金表面覆盖着一层钛的氧化物, 在这氧化物层的下面为富镍层。     

双缝衍射--联系干涉与衍射的桥梁

分析了双缝衍射在光栅衍射的教学中及干涉与衍射概念的建立中所起的作用．     

GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究

对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究。除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外,着重讨论了位于247 cm-1的散射峰的产生机制。结果表明GaN:Mg的谱中该峰的散射强度随温度升高先增大再减小,在500K以上消失且对样品重新降温到78K观察此峰不再出现,因此认为它是缺陷产生的振动模。而GaN样品中经同样加热降温的过程此峰仍然存在,说明两个样品中该峰的产生机制不同。此外,在GaN:Mg的谱中还观察到Mg诱导的局域振动模。