利用费曼路径积分理论分析多光子干涉

将费曼路径积分理论引入量子力学教学,用来分析光子干涉现象.对非简并的两光子和三光子干涉的关联函数进行了推导,并对干涉结果进行了模拟.模拟结果显示,非简并的多光子干涉是多光子聚束和量子拍效应叠加的结果.     

笛管式配气机构进气量的分析研究

阐述了笛管式内燃机配气机构的结构原理,并创建有限元模型,采用CFdesign软件仿真的方法对比传统配气机构和笛管式配气机构进气机理,分析进气过程中两者气缸体积流量的变化规律.结果表明:笛管式配气机构在提高较小转角或较小开度时,能使进排气流畅,进气更为充分,从而大大提高了进气量.     

六方相InGaN外延膜的显微Raman散射

用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_1-xN薄膜样品进行了研究，观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP⁺)，讨论了In_xGa_1-xN的A₁(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时，对Raman谱中E₂和A₁(TO)声子模进行了分析和讨论.在In_xGa_1-xN样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号. 关键词： Raman散射 X射线衍射 相分离 应力 LO声子-等离子耦合     

光压效应及其应用

 一、光压效应光的本质是电磁波,电磁波不仅具有能量,而且具有动量。设光子速度为c,频率为v,波长为λ,则光子的能量和动量分别为:E=hv.     

MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射

通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相CaN和掺Mg的P型GaN薄膜进行了研究。在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm^-1附近的两个峰。640cm^-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm^-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模。掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果。在掺Mg的样品中还观察到276,376cm^-1几个局域模并给予了解释。同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子-声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响。     

以Hopfield神经网络模型为例的大学物理教学设计

以Hopfield神经网络模型为实例设计一堂大学物理拓展课.该课堂设计运用知识迁移规律使学生将物理学中研究问题的方法应用到新的知识领域.该过程引导学生学习新知识,并体会大学物理中所内涵的自然科学研究方法.     

GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究

对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究。除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外,着重讨论了位于247 cm-1的散射峰的产生机制。结果表明GaN:Mg的谱中该峰的散射强度随温度升高先增大再减小,在500K以上消失且对样品重新降温到78K观察此峰不再出现,因此认为它是缺陷产生的振动模。而GaN样品中经同样加热降温的过程此峰仍然存在,说明两个样品中该峰的产生机制不同。此外,在GaN:Mg的谱中还观察到Mg诱导的局域振动模。     

双缝衍射--联系干涉与衍射的桥梁

分析了双缝衍射在光栅衍射的教学中及干涉与衍射概念的建立中所起的作用．     

四方相BaTiO_3及BaTiO_3∶Ce的拉曼散射特性研究

本文报道了在室温下ＢａＴｉＯ３及ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ的拉曼谱的特点，着重讨论了前向散射配置下两个１Ｉ（ＴＯ）模（位于２７５ｃｍ－１和５１６ｃｍ－１左右）出现在Ａ１（ＴＯ）谱中的原因。通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射面对入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射信号后，两个宽峰基本减掉，而掺Ｃｅ后经同样扣除背向散射信号两宽峰却依然很强。这样便证明了它们在前向散射中的出现与杂质有关系。在ＢａＴｉＯ３扣除背向散射后的谱中，还首次观察到一个位于４９２ｃｍ－１的峰。掺Ｃｅ后晶体的吸收曲线有很大变化，本文还讨论了吸收对散射强度的影响。