北京自由电子激光最近进展──实现饱和振荡

北京自由电子激光(BFEL)装置于1993年底在10.68μm处实现了饱和振荡.输出激光能量为3mJ,饱和平顶宽度2μs.对应饱和振荡平均功率为210kW(宏脉冲),峰值功率约为20MW,比自发辐射高8个量级,单程小讯号净增益为24%,转换效率为0.45%,与理论预期结果相符.光束质量接近衍射极限.目前装置可工作于9-11μm.     

贵金属芳烃饱和催化剂研究

近年来石油(尤其是柴油)馏分脱除芳烃的问题受到越来越多的重视.目前研究较多的脱芳烃催化剂有负载型金属硫化物催化剂及负载型贵金属催化剂.后者的脱芳烃深度明显优于前者,但后者对原料中硫化物极为敏感,提高其抗硫性是该催化剂的研究重点.本文着重对改善贵金属芳烃饱和催化剂抗硫性的最新研究进行了综述.     

负载型TiO2-聚酰亚胺亲水复合膜的制备与分离性能

采用溶解－流涎法，湿相转换法和干湿相转换法制轩了负载型ＴｉＯ２－聚酰亚胺亲水复合膜，采用扫描电镜，红外光谱，压汞和透气性实验等手段对该膜的孔径分布，表面结构及扩散性能进行了表征，并讨论了制备亲水对膜孔结构的影响，实验结果表明，三种膜均具有很好的亲水性能，而干湿相转换膜具有良好的孔径分布和分离性能。     

SAPO分子筛的二甲苯异构化反应性能研究——酸性和孔结构对其催化性能的影响

采用水热法合成了SAPO-5、SAPO1-1、SAPO-41分子筛，并以间二甲苯异构化反应为模型反应，考察了SAPO-5、SAPO-11、SAPO-41的催化性能；运用XRD、BET、吸附吡啶的FT IR等手段表征了SAPO的结构和酸性。结果表明，在合成投料比相同的情况下，SAPO-11具有最大的较强B酸量，表现出了最好的间二甲苯异构催化活性。SAPO-5因为较强B酸中心数目少，异构催化活性最差。三种分子筛的间二甲苯异构化催化活性和较强B酸中心的分布均呈SAPO-5＜SAPO-41≈SAPO-11顺序排列。较强B酸中心的分布是决定催化剂异构化活性的主要因素。中孔分子筛SAPO-11、SAPO-41孔道直径与对位产物的直径接近，对位选择性比大孔分子筛SAPO-5好。     

碱金属原子价电子轨道贯穿概率的估算

根据玻尔理论和碱金属原子光谱项量子数亏损的实验数据,按照物理量的加权平均计算方法,推导出估算碱金属原子价电子轨道贯穿概率的计算公式.     

基于磁珠-适配体的高效液相色谱-串联质谱法检测食品中的黄曲霉毒素B1

本文构建了特异性识别黄曲霉毒素B₁(AFB₁)的磁珠-适配体,并与高效液相色谱-串联质谱联用(LC-MS/MS),建立食品中AFB₁的定量检测方法。 利用碳二亚胺盐酸盐(EDC)活化法,将羧基磁珠进行活化。 活化后的羧基磁珠与5'端氨基修饰的适配体进行孵育结合,通过酰胺反应将适配体共价连接在羧基磁珠表面,固定在磁珠表面的适配体作为捕捉探针将样品提取液中的AFB₁分离,通过LC-MS/MS对AFB₁进行定性和定量分析。 检测结果表明:AFB₁在浓度0.25～25 ng/mL呈良好的线性关系,相关系数R²=0.999,定量检出限为0.25 ng/mL,回收率达到80.3%～92.5%,相对标准偏差(RSD)低于8%。 该方法操作简单、快速便捷、可痕量地检测AFB₁,所制备的磁珠-适配体可重复利用,为定量检测AFB₁提供了另一种技术支持。     

C~6~0, C~7~0的烷基化

本文利用低价稀土化物(S~mI~2或YbI~2)与C~6~0、C~7~0及卤代烃(烯丙基溴、氯苄)的混合溶液反应,制得烯丙基化、苄基化的富勒烯。发现与C~6~0相接的苄基数可以从1到14,验证了Krusic等人的结果。此外,还发现C~6~0可以进行烯丙基化,得到(CH~2=CHCH~2)~nC~6~0(n=1-10),C~7~0可以进行苄基化,C~7~0上至少可以接13个苄基,实验证明这类反应是对富勒烯进行烷基化的一种简便、有效的方法。     

Zeta电位法选择农药悬浮剂所需润湿分散剂

采用Zeta电位法对质量分数为20%的吡氟草胺悬浮剂所需润湿分散剂进行筛选,以激光粒度分布仪对实验体系的平均粒径(Dav)进行了验证。研究结果表明,除木质素磺酸钠以外,阴离子型润湿分散剂均可使体系的Zeta电位绝对值(│ζ│)达到40mV以上,体系较为稳定;阴离子型润湿分散剂NNO和MorwetD425复配后,相同使用量下体系的│ζ│较单一使用NNO和MorwetD425的大;当m(NNO):m(MorwetD425)=1:4,复配润湿分散剂的总质量分数为1%时,│ζ│达到最大值,颗粒平均粒径最小,热贮前后变化很小,体系达到最佳分散效果。因此,Zeta电位表征润湿分散剂在农药悬浮剂中的润湿分散性能与体系颗粒平均粒径的变化规律有良好的对应关系,故Zeta电位可作为表征润湿分散剂分散性能优劣的指标。     

半导体中的自旋弛豫--从体材料到量子阱、量子线、量子点

本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上,首先介绍研究前景,第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分:体材料、量子阱、量子线、量子点,在每一部分中又基本上按照电子、空穴、激子的顺序进行了简要的总结:对于不同的载流子,考虑了自旋弛豫对可调参数的依赖关系。这些结果要么试图解释了已有的实验结果,要么从理论上给出预言从而给实验指明了方向,为室温下可以使用的自旋电子学器件设计提供了依据,为固态量子计算和量子信息处理铺平了道路。最后简单地给出展望。