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通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α-Si:H薄膜的荧光特性,在450nm-500nm范围内常温下观察到强蓝光发射,发光强度随沉积-氧化的周期数增加而增强。发射带呈七峰结构,位置分别为460nm、465nm、472nm、478nm、485nm、490nm、496nm。实验结果直接证明了蓝光发射与缺陷能级有关,其起源于Si-O结合特定组态而形成的发光中心。 相似文献
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