排序方式: 共有30条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
小分子多肽制备抗体效率很低。我们设计了一种新的制备小肽疫苗的方法——小肽自连疫苗。这种新疫苗无需用其它蛋白质作载体,因此纯度高,单一性强,无其它杂抗原。尤其在需要进行自身免疫时这种疫苗效率较高。根据这种设计,我们合成并克隆了一个多联的生长激素释放抑制因子的基因,经过筛选、鉴定,得到了一个最大为六联体的生长激素释放抑制因子基因。该基因放到大肠杆菌中表达,并做Western检测,得到六联体生长激素释放抑制因子的表达菌株,该菌株的表达产物能与生长激素释放抑制因子的抗体发生免疫反应。 相似文献
2.
反应挤出法合成S/B多嵌段共聚物的研究 总被引:11,自引:0,他引:11
在阴离子引发体系下 ,以双螺杆挤出机为反应器 ,采用丁二烯、苯乙烯混和单体加料方式 ,本体法一步合成了S B多嵌段共聚物 .考察了螺杆转速、进料速率以及不同丁苯配比对反应挤出合成PS及S B嵌段共聚物聚合转化率的影响 .用1 H NMR、IR、DMA、TEM等方法对S B嵌段共聚物进行了表征 ,结果表明共聚物由多个微小的丁二烯嵌段和少量无规段组成 .当丁二烯含量少至 15 %左右时 ,其嵌段可回缩成球状 ,粒径大约在 30~ 5 0nm .该材料的韧性随着共聚物中丁二烯含量的增加而逐渐提高 ,特别是断裂延伸率的提高尤为显著 相似文献
3.
4.
我们在磁场中分别测量了最佳掺杂的YBa2Cu3O7-δ、钙0.2掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ及钙0.5掺杂的Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ薄膜的电阻温度关系.利用最近Zhang et al.[Phys.Rev.B71(2005),052502]提出的热激活能的分析方法对薄膜的磁通特性进行了分析、比较与讨论. 相似文献
5.
多组全动型变焦系统新型设计 总被引:2,自引:0,他引:2
为了寻找简单的多组全动型变焦系统的解算方法及降低全动型变焦距系统设计时对经验的过分依赖,提出了一种全新的方法来计算系统组元的光焦度分配。以组元之间的间隔为初始量,把组元的运动形式作为自由量,通过计算公式求出满足间隔要求的光焦度分配和组元运动形式。该方法在一定程度上降低了变焦系统光焦度分配的难度,更重要的是,为探寻新的变焦运动方式提供了一种新的思路。在得到系统的光焦度分配之后又推导出一种求解系统组元移动曲线的简单方法。为了验证该方法的可行性,设计了一个四组式全动型变焦系统。所设计系统优化后的光焦度分配值和计算的结果都很接近,并且得到了组元的移动曲线,从而验证了该方法的正确性。 相似文献
6.
7.
在激光分子束外延实验中,用RHEED原位监测了SrTiO3基片初始、退火以及同质外延过程中的表面形态.通过对RHEED图案分析,获取了表面面内的晶格常数振荡与衍射条纹的半高宽振荡现象,前者是由退火重构表面与薄膜之间的界面造成的,后者与二维岛边界的弛豫相关.另外还观察到了等离子体对入射电子束的影响而导致的RHEED强度振荡行为的相位移现象.
关键词:
反射高能电子衍射
SrTiO3
表面晶格常数及衍射强度振荡 相似文献
8.
基于聚合物分子间物理相互作用和统计平均场理论,引入附加共聚焓定义,使聚合物分子间的作用得到量化,同时推导出二元共混体系相互作用参数和三元共混体系混合焓关系式.利用所导出的公式解释一些常见聚合物共混体系和增溶体系.导出的关系式很好地解释了聚合物的热力学混溶性,但不能解释聚合物共混增溶作用. 相似文献
9.
对α-Al2O3(0001)晶体表层三种不同终止原子结构的计算模型,在三维周期边界条件下的κ空间中,采用超软赝势平面波函数描述多电子体系.应用基于密度泛函理论的局域密度近似,计算了不同表层结构的体系能量,表明最表层终止原子为单层Al的表面结构最稳定.对由10个原子组成的菱形原胞进行了结构优化,得到晶胞参数值(a0=0.48178nm)与实验报道值误差小于1.3%.进一步计算了超晶胞(2×2)表面弛豫,弛豫后原第2层O原子层成为最表层; 对不同表层O,Al原子最外层电子进行了布居分析,表面电子有更大的概率被定域在O原子的周围,表面明显地表现出O原子的电子表面态. 相似文献
10.
蓝宝石衬底上射频溅射法生长CeO2外延薄膜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
实验采用射频溅射法在(1 102)蓝宝石基片上制备(00l)取向CeO2外延薄膜.低温、低溅射功率都会导致CeO2薄膜呈(111)取向生长.当基片温度在700℃~750℃,溅射功率在100~150W范围内能够制备得到高质量(00l)取向CeO2缓冲层.所制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面.用这些缓冲层作为生长面制备得到的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全(00l)取向,且面内取向性良好,并具有优越的电学性能:其临界转变温度(Tc)为89.5K,临界电流密度Jc(77K,0T)约1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)大约为0.50mΩ,能较好的满足微波器件应用中的需要. 相似文献