结晶化学基础理论在现代X射线单晶结构分析中的一些应用

研究化学物质分子结构的方法很多,而衍射法是其中主要的方法之一,它包括X射线衍射、中子衍射和电子衍射等。由于X射线容易得到,而且成本较低,因此、X射线衍射法是分     

Electron Holography of Barrier Structures in Co／ZrAlOx／Co Magnetic Tunnel Junctions

We investigate the potential profiles and elemental distribution of barriers in Co/ZrAlOx/Co magnetic tunnel junctions (MTJs) using electron holography (EH) and scanning transmission electron microscopy. The MTJ barriers are introduced by oxidizing a bilayer consisting with a uniform 0.45-nm Al layer and a wedge-shaped Zr layer (0-2 nm). From the scanning transmission electron microscopy, AlOx and ZrOx layers are mixed together, indicating that compact AlOx layer cannot be formed in such a bilayer structure of barriers. The Eli results reveal that there are no sharp interfaces between the barrier and magnetic electrodes, which may be responsible for a smaller tunnelling magnetoresistance compared with the MTJs of Co/AlOx/Co.     

光子晶体反常色散超窄带滤波理论

讨论了利用由反常色散材料构成的二维（2D）光子晶体(PCs)实现超窄带滤波（PCADOF）的原理，并对铯原子蒸气6P3/2←6S1/2谱线的反常色散曲线进行了研究，讨论利用此反常色散曲线通过2D PCs实现超窄带滤波的方法和特点，研究发现这种滤光器的带宽可达到0.002nm，这将为设计一种全新的滤波器提供指导. 关键词： 反常色散 光子晶体 超窄带滤波     

发挥“数学应用”教学的多方面素质教育功能

素质教育要求数学教学要培养学生的数学应用能力，我们认为培养学生数学应用能力既是目的，也是手段，在培养学生的数学应用能力的过程中，还应努力挖掘其它的素质教育功能，充分发挥“数学应用”教学的多层次素质教育作用．１．在“数学应用”教学中培养学生的数学应用能...     

离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成.     

二维光子晶体中极化原子自发辐射的开关效应

利用二维光子晶体的各向异性，结合原子的偶极辐射能量分布特点，提出通过改变原子的极化方向，可以使其自发辐射寿命显著地缩短或者延长，实现开关控制．发现在某些空间位置上，极化原子寿命的改变可高达33倍．     

1,3,3a,5-四苯基-3a,4,5,11-四氢-3H,6H-1,2,4-三唑并[4,3-d][1,5]苯并二氮杂(艹卓)的合成及晶体结构

通过2,4-二苯基-2,3-二氢-1H-1,5-苯并二氮杂(艹卓)与苯甲酰氯苯腙的[2+3]环加成反应制备了标题化合物,用X射线单晶衍射仪测定了其晶体结构.晶体属正交晶系,空间群为Fdd2.晶胞参数:a=1.762 8(4)nm,b=5.751 2(12)nm,c=1.022 7 nm,V=10.368(5)nm3,Z=16,Dc=1.262 g·cm-3,μ=0.075 mm-1,F(000)=4 160,1 139个可观测衍射点,R-0.046 1,Rw=0.056 0.     

室温CO催化氧化反应动力学的研究

本文采用无梯度反应器,考察了纳米金催化剂以及其它商品化的催化CO氧化催化剂,在不同CO浓度下催化CO氧化反应的转化率和反应速率,证明在CO初始浓度从ppm到pct数量级范围内,纳米金催化剂具有最好的催化CO室温转化的能力.     

低价钒化合物结构化学研究 Ⅰ. [VCL2·(THF)4]+[ZnCl3·THF]-的合成与晶体结构

The title compound has been synthesized under nitrogen atmosphere using V_2O_5 for the initiator by Schlenk techniques. It′s single crystal, which is very air and water-sensitive, was obtained and determined from three-dimensinal x-ray diffraction data collected by the four-circle diffractometer. The crystals are orth- orhombic with space group D_2~4-P_(212121) and unit cell constants a=0.909 nm, b=1.4909 nm, c=2.1635 nm and z=4. We derived first the positional parameters of V, Zn, Cland O atoms by direct method using SHELXTL program. The coordinates of other the non-hyleast-squares refinement for all atoms gave a final discrepency factor R=0.0945 and RW=0.0674.The result of structure analysis shows that the compound is composed of the octahedral cation [VCl_2·(THF)_4]~+ and the tetrahedral anion [ZnCl_3·THF]~-.The reaction mechanism was discussed. The title compound is reaction product of VCl_3 with ZnCl_2 in THF.     

胶体法制备Mn2+掺杂Ⅱ-Ⅵ族稀磁性半导体纳米晶体材料的研究进展

近年来兴起的稀磁性半导体纳米晶体(DMSNC)是一种新型的半导体材料,由于其优异的光电磁性能得到了国内外研究人员的重视,并取得了快速发展,有望在多个领域得到应用。本文对以胶体法制备的Mn2 掺杂的ZnS、ZnSe、CdS、CdSe等为代表的Ⅱ-Ⅵ族DMSNC的主要研究进展和掺杂原理进行了综述,指出了现阶段所存在的问题,并对其未来发展进行了展望。