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讨论了含Mn,Mn和Al,Al或Cl的硒化锌单晶制成的肖特基二极管的场致发光性质。这种二极管在反向偏压下发射一种宽度可变的黄色谱带,其峰值波长在5785(2.14 ev)和6050A之间。从ZnSe:Mn二极管得到的最佳发射在1.9×10~(-3)%的能量效率下亮度为500呎朗伯。在较低的300呎朗伯亮度时得到 3×10~(-3)%的最高效率。在反向偏压下ZnSe:Mn二极管呈现出特征锰发射的窄带,其中心位于5785A。像Al那种外部施主的存在将使亮度和效率降低。这个连同发射向长波的轻微漂移和发射带的加宽一起与自激活发射的起始激发相联系,而自激活发射随施主含量的增加而增加。发现ZnSe:Al场致发光中的自激活发射在6300A(1.97ev),而ZnSe:Cl中为5900A(2.1ev)。仅在肖特基接触下含有一较厚(~200A)绝缘层构成的二极管中观测到正向偏压场致发光。正向场致发光在亮度上至少比反向EL低一个数量级。 相似文献
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用气相淀积方法,在P型CuGaS_2上外延n型CdS,制成了异质二极管。典型的二极管在正向偏压下发绿光,外部量子效率在77°K时为0.1%,在室温时为0.001%。辐射复合是由于电子注入到CuGaS_2中引起的。 相似文献
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在半导体上用金属整流接触所构成的肖特基二极管,在反向偏压下可有场致发光。作者用硒化锌作了详细的实验,以阐明它的工作机理。电子从金属隧道进入半导体,在耗尽层场中被加速,然后通过在导带内产生辐射跃迁或者碰撞离化,碰撞激发发光中心而发光。 导带内热电子跃迁引起的发光能够给出关于带结构的数据,而这些数据用其他方法是难于得到的。这种发光过程可望制成有较快的上升和下降时间的场致发光二极管,虽然其效率比较低。 发光中心的碰撞离化可以通过倍增测量来研究,其结果与场致发光测量密切相关。本文提出了一种简单的碰撞激发场致发光理论,由此引伸的碰撞离化,已得到证实。这个理论对用作光源的二极管的有关过程和性能,作了定量的描述。 已经用ZnSe制成了在适当电压和电流下用于显示的具有足够光输出的发光二极管。对于用其他材料的有关的工作也进行了描述。 相似文献
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