Mn2+和RE3+在ZnS和ZnSe中的Auger猝灭

在改变MS结势垒区宽度的同时,我们测量了在ZnSe:Mn2+晶体、ZnS:Er3+和ZnS:Sm3+薄膜中的Mn2+、RE3+特征谱的电致发光衰减.测量了高阻和低阻ZnS:Mn2+在变化温度(77K—500K)时,Mn2+发光强度的改变.认为在室温以下,Mn2+和RE3+在低阻ZnS和ZnSe中的辐射跃迁均受到Auger猝灭的影响.     

ZnSe:Mn发光二极管中发光中心的某些性质

高场发光的研究是当前发光研究中活跃的领域之一,被认为是新的动向。对p-n结发光器件,通过大量研究已经知道,施主—受主对发光中心和等电子陷阱中心等是这一类低场发光器件的有效发光中心。