ZnSe:Mn发光二极管中发光中心的某些性质

高场发光的研究是当前发光研究中活跃的领域之一,被认为是新的动向。对p-n结发光器件,通过大量研究已经知道,施主—受主对发光中心和等电子陷阱中心等是这一类低场发光器件的有效发光中心。     

ZnS_(0.6)Se_(0.4)晶体中的绿色场致发光

在组分为ZnS0.6Se0.4的硫化锌和硒化锌固溶晶体上,制成了电极面积为1mm2的绿色发光二极管。在11V偏压下亮度达到200呎-朗伯,相应的能量效率为0.06％。室温下的发射峰值为5450A(2.27ev)的宽阔谱带。用ZnS晶体进行了初步试验,在1 mm 2面积上得到在20V偏压下,功率消耗为600mW,亮度为90呎-朗伯的蓝色发光(4800A,2.58ev)。     

真空中加热衬底对ZnSe MIS二极管电致发光的影响

本文研究了在制备ZnSe MIS二极管的绝缘层时,为了改善IS间的界面接触,在真空中加热ZnSe衬底,其结果虽然使电致发光的均匀性有所改善,却使原来的蓝色电致发光变为红色。文中着重研究了红色电致发光的起源,在液氮温度下出现的二个峰值为5350Å和6320Å的谱带应分别归结为ZnSe晶体中的铜绿(Cu-G)和铜红(Cu-R)发光中心。文中指出,真空中加热的条件,使ZnSe晶体中残留的Cu杂质从非发光中心状态转变为发光中心状态。因此,要改善ZnSe晶体蓝色电致发光的性能,进一步提高ZnSe晶体的纯度是十分重要的。