硒化锌中的场致发光

讨论了含Mn,Mn和Al,Al或Cl的硒化锌单晶制成的肖特基二极管的场致发光性质。这种二极管在反向偏压下发射一种宽度可变的黄色谱带,其峰值波长在5785(2.14 ev)和6050A之间。从ZnSe:Mn二极管得到的最佳发射在1.9×10~(-3)％的能量效率下亮度为500呎朗伯。在较低的300呎朗伯亮度时得到 3×10~(-3)％的最高效率。在反向偏压下ZnSe:Mn二极管呈现出特征锰发射的窄带,其中心位于5785A。像Al那种外部施主的存在将使亮度和效率降低。这个连同发射向长波的轻微漂移和发射带的加宽一起与自激活发射的起始激发相联系,而自激活发射随施主含量的增加而增加。发现ZnSe:Al场致发光中的自激活发射在6300A(1.97ev),而ZnSe:Cl中为5900A(2.1ev)。仅在肖特基接触下含有一较厚(～200A)绝缘层构成的二极管中观测到正向偏压场致发光。正向场致发光在亮度上至少比反向EL低一个数量级。     

双[4-(2,4-二特戊基苯氧基)邻苯二腈铜]LB膜材料的合成

近年来,随着LB膜研究的进展,成膜材料的种类逐渐增多、其中有关酞菁衍生物LB膜材料的报道较多。本文合成了下述新型结构的化合物:     

螺吡喃类化合物纳米有序组装体系的结构与光致变色研究

利用LB技术制备纳米有序螺吡喃类化合物光信息储存超分子膜,着重研究了螺吡喃类化合物在不同亚相和pH值时的成膜条件和结构之间的关系,并对膜的稳定性,光致变色特性和抗疲劳能力做了较详细的研究。得到一种粒度均匀,分辨率在微米量级的超分子膜,并提出了作为三维贮储光记忆材料时一种写入和非破坏性读出的方法。     

4-(2-甲氧基乙氧基)-三-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜的合成及其LB膜特性研究

LB膜的特性在很大程度上决定于成膜分子的结构。铜酞菁衍生物具有大π键电子共轭体系,有明显的光电特性,成膜性好,很适于作LB膜气敏材料。我们在前期工作的基础上,为探明气敏特性与化合物结构间的关系,设计并合成了标题化合物,并对其LB膜的气敏特性进行了研究。     

正向偏压的ZnSMIS二极管的蓝色发光

在半导体ZnS衬底上依次蒸发淀积半绝缘ZnS层和Au,Pt或Ag电极制成了MIS器件。对在445到460nm范围呈现正向偏压蓝色电致发光的二极管进行了广泛地研究。具有最佳量子效率的二极管(Ⅰ层厚度约为350至500(?))其光电势垒高度也较大(≈2.4ev),并指出半导体在界面处严重反转。少数载流子的补充来自从金属经由半绝缘层价带的热空穴迁移。当能量相当于势垒高度的热电子进入金属时,在低效MS二极管的发射为等离子体发光。这证实了如下论点:当高能电子去激励时,在金属中将产生象热空穴那样的少数载流子。在大约1.85V的阀值电压以上,观测到形式为B—J~#的亮度—电流密度变化规律(n变化于2.0～1.5之间),其变化范围超过六个数量级。在最大驱动电流下对效率的限制似乎是缺乏足够的载流子。本器件最大的适用电流密度由于有200至500Ω的高串连电阻,一般限制在10到20mA mm~(-2)。     

p—n结型硫硒化锌和硒化锌发光二极管

宽禁带的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体,由于其发光效率高而一直受到重视,一种明显的应用乃是P—n结的发光二极管。但是,在以往,这些材料只能形成n型,不能形成P型。我们用一种与通常不同的工艺——向 n型衬底中扩散,成功地得到稳定的低阻 P型 ZnS_xSe_(1-x) 和ZnSe,并制成了低阻的发光二极管。扩散过程由两步完成:首先是淀积过程继之是驱入过程。用镓、铟和纯制作P型材料。(i)Ⅲ(A)族元素仅在大量掺杂时起作用。(ii)P型迁移率为空穴浓度的函数;温度关系表明能级是浅的。(iii)发光二极管具有低电阻;在势垒电压以上,光输出与电流成线性关系。(iv)在势垒电压以下,观测到结上的发生电流n=2,对于最佳的二极管其外量子效率估计约为1％。     

CdS—CuGaS_2异质二极管的绿色场致发光

用气相淀积方法,在P型CuGaS_2上外延n型CdS,制成了异质二极管。典型的二极管在正向偏压下发绿光,外部量子效率在77°K时为0.1％,在室温时为0.001％。辐射复合是由于电子注入到CuGaS_2中引起的。     

Mn2+和RE3+在ZnS和ZnSe中的Auger猝灭

在改变MS结势垒区宽度的同时,我们测量了在ZnSe:Mn2+晶体、ZnS:Er3+和ZnS:Sm3+薄膜中的Mn2+、RE3+特征谱的电致发光衰减.测量了高阻和低阻ZnS:Mn2+在变化温度(77K—500K)时,Mn2+发光强度的改变.认为在室温以下,Mn2+和RE3+在低阻ZnS和ZnSe中的辐射跃迁均受到Auger猝灭的影响.     

在反向偏压下肖特基二极管的场致发光

在半导体上用金属整流接触所构成的肖特基二极管,在反向偏压下可有场致发光。作者用硒化锌作了详细的实验,以阐明它的工作机理。电子从金属隧道进入半导体,在耗尽层场中被加速,然后通过在导带内产生辐射跃迁或者碰撞离化,碰撞激发发光中心而发光。 导带内热电子跃迁引起的发光能够给出关于带结构的数据,而这些数据用其他方法是难于得到的。这种发光过程可望制成有较快的上升和下降时间的场致发光二极管,虽然其效率比较低。 发光中心的碰撞离化可以通过倍增测量来研究,其结果与场致发光测量密切相关。本文提出了一种简单的碰撞激发场致发光理论,由此引伸的碰撞离化,已得到证实。这个理论对用作光源的二极管的有关过程和性能,作了定量的描述。 已经用ZnSe制成了在适当电压和电流下用于显示的具有足够光输出的发光二极管。对于用其他材料的有关的工作也进行了描述。     

原子层外延及其进展

近十年来发展起来的原子层外延技术(ALE)实际上是对现有气相外延技术(蒸发、沉积、分子束外延、氯化物外延和MOCVL)的一种改进.它以固体衬底表面的化学反应为基础.因此用ALE方法可以获得精确膜厚、符合化学比、高化学稳定性和结构完整而均匀的化合物薄膜.本综述介绍了ALE的工作原理、特点及其进展概况.指出,ALE方法除了用于研制成功性能优良的太面积薄膜电致发光显示器以外,近年来还在单晶衬底上生长出突变异质结、多量子阱结构和超晶格,从而为研究低维数半导体薄层结构提供了一个媒介.