一个新的IEC61000-4-2标准ESD电流解析表达式

 分析了两个ESD标准电流波形表达式，并提出一个新的基于脉冲函数来描述ESD标准电流的解析表达式，该表达式符合最新的标准IEC61000-4-2，在零时刻的电流及其微分部为0，且波形与实际测量波形基本吻合。     

高效液相色谱-飞行时间质谱联用法分析人参及人参皂苷与山楂配伍过程中的水解行为

利用高效液相色谱-飞行时间质谱联用的方法,分别对人参配伍山楂前后人参皂苷的变化进行分析,同时对人参皂苷Re、Rg1、Rb1、Rd与山楂配伍的水解规律进行系统研究,并与单独煎煮液、仿山楂配伍pH值煎煮液的水解产物进行比较,结果发现人参与山楂配伍后人参皂苷Rg1、Rb1含量明显减少,而人参皂苷Re、Rd、Rg2、Rg3、F2、Rh1含量明显增加,其中人参皂苷Re与山楂配伍后水解产物为人参皂苷20(R)-Rg2、20(S)-Rg2,仿山楂配伍pH值水解产物为人参皂苷20(R)-Rg2、20(S)-Rg2、Rg4、Rg6;人参皂苷Rg1与山楂配伍后水解产物为20(S)-Rh1、20(R)-Rh1,仿山楂pH值水解产物为20(S)-Rh1、20(R)-Rh1、Rh4、Rk3;人参皂苷Rb1与山楂配伍后水解产物为Rd、20(S)-Rg3,仿山楂pH值水解产物为F2、20(S)-Rg3;人参皂苷Rd与山楂配伍后水解产物为F2、20(S)-Rg3、20(R)-Rg3,仿山楂pH值水解产物为20(S)-Rg3、20(R)-Rg3。研究表明,不同人参皂苷和山楂配伍后与仿山楂pH值的水解产物并不相同,人参与山楂配伍改变了人参皂苷成分的种类及含量。本研究为临床方剂中人参与山楂配伍后成分的变化提供物质基础数据。     

一种新型桥路型HTSFCL的实验研究

在研究一种新型桥路型高温超导限流器的限流原理的基础上，研制开发了一台三相600V、故障电流峰值100A的实验室样机．本文介绍了该限流器的功率电路、控制器、低温容器和高温超导磁体等部分的结构特点和功能．在三相系统中进行了各种短路故障限流实验，结果表明该限流器有较强的限流能力和重合闸能力，说明新型高温超导限流器的研究对改善电网动态性能和提高电网电能质量有十分重要的意义．     

经典静电学史与现代静电技术

静电学是电学中最古老的学科，现在静电应用技术和静电防护技术已越来越受到人们的重视，对经典静电学和一较为详细的问题的回顾是有意义的，文章综述了经典静电学的发展及其在物理学中所起的作用，概括了１６世纪到的１９世纪科学家对静电现象和静电规律的研究及本世纪静电技术的发展概况２。     

航空发动机尾气静电带电机理分析与试验研究

航空发动机工作时燃烧室内发生复杂的物理化学变化,生成大量带电粒子,导致发动机尾气静电带电;理论分析了发动机喷流尾气中带电粒子产生演化过程和带电影响因素,讨论对比了多种测试原理与传感器方案,确立了非接触式静电感应测试方案,研制了共轴喇叭状静电传感器和静电监测系统,开发了自动测试软件并对某型航空发动机进行了机载尾气静电带电试验研究,验证了测试平台的有效性,成功获得了大量喷流尾气静电信号;研究结果表明:航空发动机正常工作时喷流尾气中带电粒子总体显正极性,平均体电荷密度约为0.077 nC/m³,发动机等效充电电流为2.26 nA。     

静电放电火花产生的电磁场特征分析

静电放电(ESD)产生的电磁脉冲(EMP)会对电子系统的正常工作造成严重的干扰,甚至造成系统的损伤.故提出了一种修正的ESD火花电偶极子模型,并用此模型定性地分析了ESD火花产生的电磁场的特征,得出的-些结论对进一步研究ESD的电磁防护措施提供了有益指导.     

电容系数法在防静电危害研究中的应用

研究了导体系电容系数的计算及测量方法，利用＊。x一11电荷方程组确定了两导体间电势差和静电放电能量，并讨论了临近接地板的影响．     

雷电回击参数对回击电磁场计算的影响研究

 基于BG，TL，MTLL，MTLE和TCS 5种模型，研究了雷电回击通道高度、回击速度和大地电容率对雷电回击电磁场的影响。计算中5种模型采用相同的通道基电流波形，通过计算总结了几种参数对回击电磁场的影响。     

微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究

 在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中，针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲（静电放电和方波电磁脉冲）直接注入的试验，结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结（发射极-基极），而是CB结（集电极-基极）。通过对器件结构与放电过程的分析，分别得出了CB结、EB结的损伤机理：随放电电压的增大，热载流子撞击界面，使流经界面处的少数载流子复合速度增加，少数载流子在界面处及界面附近被复合，从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入，器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。     

用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应

我们用椭圆偏光法对As⁺离子注入Si的损伤和退火效应进行了测量。对As⁺注入能量为150keV、注入剂量为10¹⁶cm^-2的情况,测得的折射率分布呈现平台型,表明出现了非晶质层。在600—700℃间有一转变温度,高于此温度退火,可消除非晶质层。实验结果表明椭圆偏光法亦是测定辐射损伤的有用工具。 关键词：