2-乙酰吡嗪缩肼基甲酸甲酯的镍和镉配合物的晶体结构及荧光性质

合成并通过X射线单晶衍射、元素分析及红外光谱表征了配合物[Ni(L)₂] (1)和[Cd(HL)(CH₃OH)(NO₃)₂] (2)的结构(HL为2-乙酰吡嗪缩肼基甲酸甲酯)。单晶衍射结果表明,配合物1中,Ni(Ⅱ)离子与来自2个阴离子配体L-的N₂O电子供体配位,形成扭曲的八面体配位构型。在配合物2中,Cd(Ⅱ)离子拥有双帽三棱柱配位构型,与1个中性配体HL,2个双齿配位硝酸根和1分子甲醇配位。此外还研究了配合物1和2的荧光及热性质。     

PMBP缩4-甲基水杨酰肼铜、锌配合物: 合成、结构及锌配合物的荧光性质

合成并通过单晶衍射、元素分析、红外光谱表征了配合物[(Cu)(L)(Cl)]·0.5EtOH·1.5H₂O (1)和{[Zn(L)(NO₃)]·2CH₃CN}_n (2)的结构(HL为PMBP缩4-甲基水杨酰肼; PMBP=1-phenyl-3-methyl-4-benzoyl-5-pyrazolone)。单晶衍射结果表明, 配合物1中, Cu(Ⅱ)离子与来自烯醇化脱质子配体L^-的2个O原子和1个N原子,及1个氯离子配位, 采取扭曲的平面正方形配位构型。而配合物2中, Zn(Ⅱ)离子采取扭曲的三角双锥配位构型, 与来自L-的NO₂电子供体, 1个单齿配位的硝酸根和相邻配体吡唑啉酮N原子配位, 形成沿b轴方向的一维链状结构。在310 nm紫外光激发下, 配合物2在434和459 nm处有很强的荧光发射, 而配体的荧光发射峰在521 nm, 强度明显弱于配合物。此外, 固态配体和配合物2的荧光寿命分别为7.352 8和7.755 6 μs。     

枝状体系中分子内光诱导能量转移*

枝状分子因其独特的化学结构,其光化学与光物理研究尤为引人注目。本文重点介绍了近二十年来报道的具有光诱导分子内能量转移的枝状分子的化学结构特点,分析了不同因素对光诱导分子内能量转移效率的影响;阐述了可以根据能量给体与受体的性质,利用化学策略对枝状体的分子内光诱导能量转移进行调控;概括了具有光诱导分子内能量转移性质的枝状分子的目前应用领域;总结了枝状体中分子内能量转移面临的关键科学问题,并展望了具有分子内能量转移的枝状分子的发展方向     

通过拉曼和红外光谱实验训练学生科研素养

拉曼光谱和红外光谱都是重要的现代光谱分析手段,在科研、生产等方面发挥着极大的作用.本文针对开设的实验内容——测量四氯化碳的拉曼光谱和红外吸收光谱,引导学生利用Origin软件(含部分高级功能)处理实验数据,要求学生在查阅大量文献资料基础上,完善自身知识体系的同时对实验数据进行系统科学的分析,使学生的科研素养(如文献检索能力、科技数据的处理和分析能力、由已知探索未知的能力)得到有效训练.     

PMBP缩4-甲基水杨酰肼铜、锌配合物:合成、结构及锌配合物的荧光性质

合成并通过单晶衍射、元素分析、红外光谱表征了配合物[(Cu)(L)(Cl)]·0.5EtOH·1.5H₂O (1)和{[Zn(L)(NO₃)]·2CH₃CN}_n (2)的结构(HL为PMBP缩4-甲基水杨酰肼; PMBP=1-phenyl-3-methyl-4-benzoyl-5-pyrazolone)。单晶衍射结果表明,配合物1中,Cu(Ⅱ)离子与来自烯醇化脱质子配体L^-的2个O原子和1个N原子,及1个氯离子配位,采取扭曲的平面正方形配位构型。而配合物2中,Zn(Ⅱ)离子采取扭曲的三角双锥配位构型,与来自L^-的NO₂电子供体,1个单齿配位的硝酸根和相邻配体吡唑啉酮N原子配位,形成沿b轴方向的一维链状结构。在310 nm紫外光激发下,配合物2在434和459 nm处有很强的荧光发射,而配体的荧光发射峰在521 nm,强度明显弱于配合物。此外,固态配体和配合物2的荧光寿命分别为7.352 8和7.755 6 μs。     

Oxidation of silicon surface with atomic oxygen radical anions

The surface oxidation of silicon （Si） wafers by atomic oxygen radical anions （O- anions） and the preparation of metal-oxide-semiconductor （MOS） capacitors on the O-oxidized Si substrates have been examined for the first time. The O- anions are generated from a recently developed O- storage-emission material of [Ca24Al2sO64]^4＋·4O^- （Cl2A7-O^- for short）. After it has been irradiated by an O- anion bean： （0.5 μA/cm^2） at 300℃ for 1-10 hours, the Si wafer achieves an oxide layer with a thickness ranging from 8 to 32 nm. X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） results reveal that the oxide layer is of a mixture of SiO2, Si2 O3, and Si2O distributed in different oxidation depths. The features of the MOS capacitor of 〈Al electrode/SiOx/Si〉 are investigated by measuring capacitance-voltage （C - V） and current-voltage （I - V） curves. The oxide charge density is about 6.0 × 10^1 cm^-2 derived from the （C - V curves. The leakage current density is in the order of 10^-6 A/cm^2 below 4 MV/cm, obtained from the I - V curves. The O- anions formed by present method would have potential applications to the oxidation and the surface-modification of materials together with the preparation of semiconductor devices.     

含电活性界面层有机铁电纳米薄膜的疲劳性能

采用3种类型的电活性界面层材料,如高介电常数材料酞菁铜（CuPc）、电子导体原位合成的聚（乙撑二氧噻吩）-聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT-PSSH）以及离子导体聚乙烯基磷酸（PVPA）和商业的PEDOT-PSSH（BaytronP）,研究了界面层对铁电共聚物薄膜的疲劳特性的影响。研究结果表明,三种类型的电活性界面层材料,包括电子、离子导体和含偶极子的高介电常数材料都能为铁电薄膜提供补偿电荷从而提高器件的铁电疲劳性能。