聚苯乙烯类发光材料研究进展

高分子发光材料具有良好的溶液加工特性,是发展低成本、大面积平板显示和固体照明器件的重要基础材料。聚苯乙烯类发光材料在合成方法上具有聚合方法简单、无需使用催化剂、无卤素原子残留等优势,在化学结构上具有非共轭主链结构和易于引入功能化侧链等特点,在发光特性上具有宽带隙特征,近年来发展成为一类重要的高分子发光材料。本文从材料和器件角度,围绕聚苯乙烯类荧光材料、聚苯乙烯类磷光材料和聚苯乙烯类热活化延迟荧光材料的分子设计和电致发光性能,综述了聚苯乙烯类发光材料的研究进展,分析总结了其未来发展所面临的机遇和挑战。     

基于轮换样本连续性调查的校准组合估计方法研究

校准估计是抽样调查中比较常用的一种利用辅助信息提高估计量精度的方法。回归组合估计量作为轮换样本连续性调查中使用的一种有效的估计量,是可以通过校准程序得到的。基于回归组合估计量和校准程序之间的关系,本文提出了轮换样本连续性抽样调查条件下的不同校准组合估计量及其方差估计。校准组合估计量的主要思想是在校准估计程序中将拼配样本和非拼配样本的辅助信息进行不同的组合利用。本文利用美国现时人口调查的微观数据进行数值模拟,来比较不同校准组合估计量的估计效率,模拟结果表明两步校准组合估计量和两步校准双组合估计量的表现相似,且估计精度都高于H-T估计量及回归组合估计量;而两步校准组合估计量由于其简便性更适合应用于实践中。最后以我国农村住户连续性抽样调查为例,设计一套符合我国实际的轮换样本连续性调查方案,并将提出的校准组合估计量运用于估计阶段,为中国政府统计调查提供一定的借鉴和参考.     

基于氟代苯并咪唑配体的绿光铱配合物的合成与表征

基于一种氟代的配体2-(4’-氟苯基)-1-苯基-苯并咪唑,在高温(>200℃)条件下直接合成了经式绿光铱配合物mer-Ir(FPBI)3,并通过1H NMR和单晶X射线衍射分析确定了其经式构型。不同于以前报道的具有经式构型的铱配合物(<0.1),mer-Ir(FPBI)3在甲苯溶液中的光致发光量子效率高达0.46。应用该配合物制备了高效磷光有机电致发光器件,最大电流效率和外量子效率分别为38.5 cd/A和11.8%,色坐标为(0.29,0.58)。     

Infrared response of the lateral PIN structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material

The intermediate band (IB) solar cell is a promising third-generation solar cell that could possibly achieve very high efficiency above the Shockley-Queisser limit. One of the promising ways to synthesize IB material is to introduce heavily doped deep level impurities in conventional semiconductors. High-doped Ti with a concentration of 10²⁰ cm^-3-10²¹ cm^-3 in the p-type top Si layer of silicon-on-insulator (SOI) substrate is obtained by ion implantation and rapid thermal annealing (RTA). Secondary ion mass spectrometry measurements confirm that the Ti concentration exceeds the theoretical Mott limit, the main requirement for the formation of an impurity intermediate band. Increased absorption is observed in the infrared (IR) region by Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) technology. By using a lateral p-i-n structure, an obvious infrared response in a range of 1100 nm-2000 nm is achieved in a heavily Ti-doped SOI substrate, suggesting that the improvement on IR photoresponse is a result of increased absorption in the IR. The experimental results indicate that heavily Ti-implanted Si can be used as a potential kind of intermediate-band photovoltaic material to utilize the infrared photons of the solar spectrum.     

电感器对交直流作用演示仪

利用简易器材,通过巧妙设计,达到了用实验方法探究电感器对交、直流电的阻碍作用,定性得出了电感器的感抗与电感线圈的自感系数和交流电频率的关系。     

N-苯基咔唑取代的蓝光聚(2,7-咔唑)的合成与表征

采用Suzuki聚合方法并通过改变催化剂的投料量,合成了一系列具有不同分子量的N-苯基咔唑取代的蓝光聚(2,7-咔唑),并详细研究了分子量对聚合物的光物理、电化学和电致发光器件性质的影响.结果表明,刚性N-苯基咔唑侧链的引入,能够有效地调控主链之间的相互作用,提高蓝光的色纯度,并使得该系列聚合物的固态荧光量子效率高达0.40.同时,在热退火及器件工作过程中,没有观察到类似聚芴中绿光峰的出现,表明具有良好的光谱稳定性.单层聚合物电致发光器件的最大发光效率为0.33 cd/A,色坐标为(0.18,0.12).     

三苯胺为中心核的咔唑树枝状主体材料的合成与性能表征

以三苯胺为中心核,第二代的齐聚咔唑为树枝,设计合成了树枝状主体材料H2A。树枝状化合物H2A具有良好的成膜性和优异的热稳定性(Tg=351℃),其三线态能级为2.84 eV。采用H2A作为蓝光铱配合物双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)的主体材料,制得的蓝光磷光器件的启亮电压为4.8V,最大功率效率为7.0 lm/W,两项指标均优于以4,4',4″-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)为主体材料的相应器件(6.0 V,6.1 lm/W)。     

腐植酸负载金属配合物对Heck反应的催化性能

以腐植酸为原料,通过简单的方法制得了腐植酸负载Pd(HA-Pd)和腐植酸负载Pd/Ni催化剂(HA-Pd/Ni).用NaBH4作为还原剂,得到腐植酸负载Pd和腐植酸负载Pd/Ni催化剂的还原产物(HA-Pd(0)和HA-Pd/Ni(0)).研究了腐植酸负载Pd和腐植酸负载Pd/Ni催化剂及其还原产物对芳基卤与乙烯基化合物的Heck反应的催化性能.结果显示,该类催化剂均能够很好地催化溴苯与丙烯酸的Heck芳基化反应.     

基于局部多项式回归的模型校准抽样估计研究

在抽样估计中,当研究变量与辅助变量之间呈非线性关系时,传统的校准估计方法效果较差,基于非参数回归方法的模型校准估计量则可以很好地解决这一问题。首先,建立描述研究变量和辅助变量之间关系的超总体回归模型,使用非参数中的局部多项式方法得出模型参数的拟合值,并结合校准估计得出局部多项式模型校准估计量,同时给出其方差和方差估计量公式,证明了该估计量具有渐近无偏性、一致性和渐近正态性等优良的统计性质。然后,使用仿真模拟的方法证明在研究变量与研究变量之间呈非线性关系时,该估计量有良好的估计效果。最后,对该估计量在我国政府统计中的应用进行简单的介绍。     

Detailed balance limit efficiency of silicon intermediate band solar cells

The detailed balance method is used to study the potential of the intermediate band solar cell (IBSC), which can improve the efficiency of the Si-based solar cell with a bandgap between 1.1 eV to 1.7 eV. It shows that a crystalline silicon solar cell with an intermediate band located at 0.36 eV below the conduction band or above the valence band can reach a limiting efficiency of 54% at the maximum light concentration, improving greatly than 40.7% of the Shockley—Queisser limit for the single junction Si solar cell. The simulation also shows that the limiting efficiency of the silicon-based solar cell increases as the bandgap increases from 1.1 eV to 1.7 eV, and the amorphous Si solar cell with a bandgap of 1.7 eV exhibits a radiative limiting efficiency of 62.47%, having a better potential.