(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)的荧光以及长余辉发光性能

采用高温固相法制备了一系列(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)(0≤x≤0.25)绿色荧光粉,并研究了Mg离子对(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)的结构、荧光以及长余辉发光性能的影响。Mg离子取代Zn进入Zn_2GeO_4晶格,形成(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4固溶体,并产生了晶格畸变。光谱分析结果表明,样品中位于533 nm的绿色荧光源于Mn~(2+)的~4T_1(~4G)→~6A_1(~6S)跃迁。随着Mg离子浓度的增加,(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)样品的激发光谱出现了蓝移现象,说明Mg离子进入到Zn_2GeO_4晶格中对其晶格结构产生了影响,导致(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4的带宽发生改变。发射光谱则表明Mg离子进入Zn_2GeO_4晶格引起Mn~(2+)的~4T_1(~4G)→~6A_1(~6S)跃迁绿色荧光发光强度的增强。Zn_2GeO_4基质中的氧空位缺陷陷阱深度由于基质带宽的变化而变深,样品具有良好的长余辉发光效果。通过热释光谱分析研究了材料中缺陷陷阱的特征,进一步证实了(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4中缺陷陷阱深度发生改变。根据光谱分析结果给出了(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)中荧光与余辉发光的产生机理。     

一个矩阵函数及其应用

给出了矩阵函数f（X）=A-BX-（BX）＊的秩和最小惯性指数定理,其中＊表示矩阵的共轭转置.作为应用,给出了Lyapunov矩阵方程以及矩阵不等式BX＋（BX）＊≥A和BX＋（BX）＊≤A可解的若干充要条件.     

不同耦合构型多自旋体系单重态制备效率研究

核自旋单重态是一种特殊的量子态,其存在寿命能远长于纵向弛豫时间(T₁),能够被用于研究分子之间的慢扩散和慢运动等动力学过程．单重态的制备是其能成功应用的关键．目前文献中报道了多种制备单重态的方法,这些方法主要适用于孤立的两自旋体系,当单重态所涉及的核自旋受到其它自旋的耦合作用时,单重态的制备效率往往会降低．本文以三自旋体系为例,研究了不同耦合构型下单重态的制备效率受非单重态自旋耦合的影响,模拟结果表明当单重态自旋由弱耦合逐渐变为强耦合时,单重态的制备效率会在单重态自旋与非单重态自旋的耦合呈现对称性时保持一定的稳定性,此特性能够为复杂体系中选择合适的自旋制备单重态提供参考．我们利用N-乙酰-L-天门冬氨酸(NAA)分子的三个质子组成的自旋体系实验验证了以上结论,通过调节NAA分子的酸碱度,所选的三自旋体系能从弱耦合向强耦合转变,实验结果表明：当三自旋中单重态自旋处于强耦合时,单重态的制备效率明显高于弱耦合时的效率．     

稀土Ce对HMn64-8-5-1.5黄铜组织和磨损性能的影响

研究了稀土Ce元素对HMn64-8-5-1.5黄铜的组织和室温力学性能以及摩擦学性能的影响。结果表明:添加少量Ce对锰黄铜的物相构成影响较小,因此合金的力学性能变化范围较小。随着合金中Ce质量分数的增加,锰黄铜基体β相和硬质相的晶粒尺寸逐渐减小,而且硬质相的分布更加均匀弥散,材料的组织结构得到改善,从而提高材料的耐磨损性能。添加质量分数0.25%的Ce,材料的磨损速率减少约19%。在相同工况的干摩擦条件下,随着Ce质量分数的增加,HMn64-8-5-1.5黄铜的主要磨损形式逐步从较严重的疲劳剥层磨损和黏着磨损过渡为轻微的黏着磨损和氧化磨损。     

Zn_2GeO_4纳米棒的制备及发光性质

采用水热合成法制备了纯菱形相的Zn_2GeO_4纳米棒,研究了水热制备前驱体溶液的pH值对材料尺寸及形貌的影响以及Zn_2GeO_4纳米棒的光学性质。扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,随着前驱体溶液pH值的变化样品逐渐由微米级块状结构生长成为纳米颗粒,并且进一步形成纳米棒结构。纳米棒的尺寸由长200 nm变化到500 nm。室温光致发光(PL)光谱中观察到位于450和530 nm两个不同的发光峰,其分别源于Zn_2GeO_4的不同缺陷能级。     

Zn2GeO4纳米棒的制备及发光性质

采用水热合成法制备了纯菱形相的Zn₂GeO₄纳米棒,研究了水热制备前驱体溶液的pH值对材料尺寸及形貌的影响以及Zn₂GeO₄纳米棒的光学性质。扫描电子显微镜（SEM）测试结果表明,随着前驱体溶液pH值的变化样品逐渐由微米级块状结构生长成为纳米颗粒,并且进一步形成纳米棒结构。纳米棒的尺寸由长200 nm变化到500 nm。室温光致发光（PL）光谱中观察到位于450和530 nm两个不同的发光峰,其分别源于Zn₂GeO₄的不同缺陷能级。     

Ordered silicon nanorod arrays with controllable geometry and robust hydrophobicity

Highly ordered silicon nanorod(Si NR)arrays with controllable geometry are fabricated via nanosphere lithography and metal-assisted chemical etching.It is demonstrated that the key to achieving a high-quality metal mask is to construct a non-close-packed template that can be removed with negligible damage to the mask.Hydrophobicity of Si NR arrays of different geometries is also studied.It is shown that the nanorod structures are effectively quasi-hydrophobic with a contact angle as high as 142°,which would be useful in self-cleaning nanorod-based device applications.     

Goodman公式的推广

1959年,Goodman发现了任一p阶图中k₃与k₃的个数之和,即f₃,仅是顶点的度d_i的函数之和（1≤i≤p）.人们总企图求得k₄的个数与k₄个数之和的公式f₄.首先,证明f₄并不仅是d_i的函数之和（1≤i≤p）;然后,求了f₄的公式,但它们还依赖一个自同构图c₁₁.     

基于随机森林特征重要性和区间偏最小二乘法的近红外光谱波长筛选方法

为建立快速近红外光谱定量分析模型，特征波长筛选是提高定量分析预测精度较为有效的方法之一。它能够筛选出有效波长信息，减少数据冗余、提高数据有效性。随机森林(RF)作为一种集成算法，可根据计算特征重要性进行特征筛选。RF将基于袋外数据(OOB)的平均精度下降(MDA)方法计算均方误差平均值作为特征重要性结果，通过设置特征重要性阈值筛选特征变量构成特征波长子集，但该阈值范围的设定无理论依据，因此需要对特征重要性阈值范围进行探究。另一方面，由于RF的随机特性，特征波长子集中可能包含无效甚至是干扰变量，并不能保证所选变量的有效性。故而进一步提出RF-iPLS波长筛选方法。区间偏最小二乘法(iPLS)筛选出的特征波长多为连续特征波段的特性，对特征波长子集划分区间，弥补RF因自身随机性造成的无效变量问题；同时，RF筛选的离散特征波长解决了iPLS筛选的连续波段中含冗余信息的问题。为了说明RF-iPLS算法的合理性，特征子集经过蒙特卡洛(MC)方法500次样本特征采样后，构建RF-MC-iPLS算法。虽然RF-iPLS与RF-MC-iPLS算法结构接近，但运行时间缩短了11.12%,结果说明RF-iP...