首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13篇
  免费   10篇
  国内免费   6篇
化学   15篇
数学   3篇
物理学   11篇
  2019年   2篇
  2018年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   5篇
  2011年   2篇
  2010年   2篇
  2009年   4篇
  2008年   3篇
  2007年   5篇
  2005年   2篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
排序方式: 共有29条查询结果,搜索用时 296 毫秒
1.
采用共沉淀水热法制备了镍铝铈三元复合层状氢氧化物.详细探讨了合成体系pH值、Ce/Al比及陈化条件对合成产物物相的影响;通过XRD,ICP,TG-DTA手段研究了合成物物相、组成及热行为.考察了以合成物为前驱体经焙烧后转化为镍铝铈复合金属氧化物在催化消除NO反应中的应用.实验结果表明,合成镍铝铈三元复合层状氢氧化物的适宜条件是:M2 /M3 =2,Ce/Al=0.07~0.75,pH=5.5~6.9,水热处理条件为110℃,5 h;在pH=5.5~6.9条件下,合成原料配比不同,产物物相相同,但组成不同;合成物热稳定性较差,在T=100~400℃之间,层间吸附水及层间平衡阴离子NO3-脱去,转化为复合氧化物,将此氧化物应用于NO消除反应中,表现出高的低温活性,400℃进行反应,NO转化率达95%,N2选择性几乎100%.  相似文献   
2.
以FeCuK/SiO2为母体催化剂,用不同浓度的NH4HSO4水溶液进行等体积浸渍,制备了不同SO2-4含量的费托合成(FTS)铁基催化剂.采用原子发射光谱、低温N2吸附、 X射线光电子能谱、程序升温还原和穆斯堡尔谱等技术对催化剂进行了表征,并在H2/CO摩尔比0.67,WHSV=2 000 h-1,压力1.5 MPa和温度250 ℃条件下进行了浆态床FTS反应.结果表明,少量SO2-4能促进催化剂在H2中的还原;在合成气还原过程中,少量SO2-4对催化剂的碳化程度影响不大,但大量SO2-4严重抑制催化剂的碳化.在约500 h的运行实验中,各催化剂样品表现出的催化活性有所差异,但均呈现较好的稳定性.SO2-4可抑制水煤气变换反应活性,且随着SO2-4含量的增加,抑制作用愈加明显;同时,催化剂上浸渍少量SO2-4可有效抑制CH4的生成,提高低碳烯烃的选择性.  相似文献   
3.
采用连续共沉淀与喷雾干燥成型技术相结合的方法制备了微球状Fe/Cu/K/Al2O3催化剂, 结合TG、N2物理吸附、XRD、H2-TPR、CO-TPR、Mossbauer谱等表征手段, 研究焙烧温度对Fischer-Tropshc (F-T)合成铁基催化剂的结构性质、还原行为和碳化行为的影响. 结果表明, 较高的焙烧温度有利于碳酸盐的分解和结晶水的脱除, 促进了催化剂的还原. 随着焙烧温度的进一步升高, 催化剂的比表面积减小, 平均孔径增大, α-Fe2O3晶粒的粒径增大, 催化剂中金属与载体的相互作用增强, 从而削弱了CuO、K2O助剂的作用, 严重抑制了催化剂的还原和碳化.  相似文献   
4.
设f是区间I=[0,1]上的单峰扩张自映射, k ∈N,m≥2,λm,k是方程x(k-1)m(xm- 1)Q(x,m 1) (x(k-1)m-1)Q(x,m)=0在(1, ∞)上的唯一实根,其中Q(x,m)=(xm- 2xm-1 1).本文证明:若f的扩张常数λ≥λm,k,则f有超旋转对为(k,km 1)的周期轨道. 此外,还指出,当1<λ<λm,k时,在区间上存在单峰扩张自映射具有扩张常数λ却无超旋转对为(k,km 1)的周期轨道.  相似文献   
5.
连晨帅  代蓉  田韧  吴旭  安霞  谢鲜梅 《分子催化》2019,33(4):297-308
我们采用分步浸渍法和共浸渍法制备了一系列的Ni-Cu/mSiO2催化剂.运用XRD、N2吸附-脱附、H2-TPR、SEM、TG-DTG等表征手段对催化剂反应前后的物理化学性质进行分析,催化剂对乙醇水蒸气重整(ESR)反应的催化性能通过常压固定床反应器进行评价.结果表明:催化剂的催化性能与载体上的活性组分分散有关,而活性金属的分散性与制备方法有关.共浸渍法制备的催化剂Ni14-Cu/mSiO2活性组分分散度较高,抗积碳能力与稳定性更好.在质量空速为2.7 h-1,水醇摩尔比为9,反应温度为550℃的条件下进行稳定性测试,催化剂Ni14-Cu/mSiO2测试25 h没有出现失活现象,乙醇转化率保持在100%,H2的选择性保持在70%以上,反应后的积碳含量仅为5.52%.  相似文献   
6.
Mn助剂加入方式对铁基催化剂F-T合成性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用连续共沉淀与喷雾干燥成型技术相结合的方法制备了系列微球状Fe/Mn/K催化剂,结合H2 DTG、CO TPR、Mossbauer谱等表征手段,研究了Mn助剂的加入方式对铁基催化剂物相结构、还原和碳化行为以及F-T合成性能的影响。催化剂在浆态床反应器中以接近F-T合成实际工况条件 (250℃、1.5MPa、H2/CO=0.67和2.0L /(gcat·h)) 进行评价。结果表明,以共沉淀方式加入Mn助剂具有较强的Fe Mn相互作用,从而抑制了催化剂的还原和碳化,降低了催化剂的活性,提高了催化剂的稳定性。而以部分共沉淀和黏结剂方式加入Mn助剂促进了催化剂的还原和碳化,提高了反应活性加速了催化剂的失活。与共沉淀Mn相比,部分共沉淀和黏结剂Mn提高了重质烃和烯烃的选择性,同时抑制了有机含氧化合物的生成。  相似文献   
7.
NiMgAl三元类水滑石的制备研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
在Ni(NO3) 2-Mg(NO3) 2-Al(NO3) 3-NaOH体系中,研究了共沉淀法制备NiMgAl三元类水滑石的合成规律。考察了pH值、Ni/Mg/Al比、沉淀生成温度及水热处理条件对合成NiMgAl-HTLcs的影响,借助XRD 、ICP、 FT-IR对合成样品进行表征。实验结果表明,合成NiMgAl-HTLcs的适宜pH范围为5.5~7.0,Ni/Mg=2.0~4.0,水热处理条件为100 ℃,7 h。通过对合成物热行为研究表明,NiMgAl-HTLcs结构开始破坏温度为300 ℃,经焙烧后可得Ni元素高度分散的复合氧化物。  相似文献   
8.
以FeCuK/Si O2为母体催化剂,通过乙酸钠浸渍得到一组不同Na含量的费托合成铁基催化剂.采用原子发射光谱、低温N2吸附、程序升温还原和M ssbauer谱等技术对催化剂进行了表征.在H2/CO摩尔比为0.67,空速为2 000 h-1,压力为1.5 MPa和温度为250℃的条件下进行了浆态床F-T合成反应性能评价实验.结果表明,浸渍少量Na能提高催化剂的比表面积,促进铁物相的分散,而浸渍大量Na却大大降低了催化剂的比表面积,使催化剂中的铁物相聚集形成较大的颗粒;浸渍Na抑制了催化剂在H2中的第一步还原,但促进了催化剂在CO中的碳化;在原位合成气还原过程中,浸渍Na有利于催化剂的碳化.在500 h的运行实验中,浸渍Na的催化剂均表现出不同程度的失活现象.反应结果表明,浸渍Na对水煤气变换反应活性影响不大,对费托合成反应活性和烃产物选择性有较大的影响.在铁基催化剂上浸渍Na有利于C12 重质烃和低碳烯烃的生成.  相似文献   
9.
密封微波消解已被运用于火焰原子吸收光谱法对中草药中微量元素含量的测定过程中。微波消解法具有方便省力,安全快捷,污染少,样品溶解完全等特点。选用硝酸和双氧水(5∶1)的混合消化液作为消解剂进行微波消解。运用火焰原子吸收光谱法测定了秦艽和麻花秦艽中的Fe,Mn,Ni,Cu,Zn,Ca,Mg,Cr等八种微量元素的含量。进行了微波消解条件的选择及消化结果精密度实验,该方法的加标回收率为88.1%~114.5%,相对标准偏差(RSD)<3.12%,具有较为良好的准确度和精密度。结果表明,秦艽和麻花秦艽均富含Ca,Mg,Fe,Mn,Zn等元素,而Ni和Cr含量均较低。通过对秦艽和麻花秦艽微量元素含量的比较,发现秦艽中的Mg, Fe, Mn, Ni含量较高,而麻花秦艽中的Zn, Cu, Ca, Cr含量较高。此结果为探讨微量元素与秦艽和麻花秦艽的药效关系提供了一定的科学数据。并且,通过本实验为秦艽和麻花秦艽的进一步研究和综合开发利用提供了新的科学依据。  相似文献   
10.
In this paper, oxidation of Ge surface by N2O plasma is presented and experimentally demonstrated. Results show that1.0-nm GeO2is achieved after 120-s N2O plasma oxidation at 300?C. The GeO2/Ge interface is atomically smooth. The interface state density of Ge surface after N2O plasma passivation is about ~ 3 × 1011cm-2·eV-1. With GeO2passivation,the hysteresis of metal–oxide–semiconductor(MOS) capacitor with Al2O3serving as gate dielectric is reduced to ~ 50 mV,compared with ~ 130 mV of the untreated one. The Fermi-level at GeO2/Ge interface is unpinned, and the surface potential is effectively modulated by the gate voltage.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号